הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎C2M0280120D-ND‎‏
כמות זמינה 2,609
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎C2M0280120D‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 8 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎C2M0280120D‎‏
מוצר מוצג ‏‎Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Cree/Wolfspeed‎‏

סדרה ‏‎Z-FET™‎‏
אריזה ? צינור ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎‎1200V (1.2kV)‎‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎10A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎20V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id 2.8V @ 1.25mA (אופייני)
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎20.4nC @ 20V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎259pF @ 1000V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎+25V, -10V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎62.5W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎370 mOhm @ 6A, 20V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה חור מעבר
מארז ההתקן של הספק ‏‎TO-247-3‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎TO-247-3‎‏
 
לשימוש עם
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 30

21:14:22 3/23/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 21.72000 21.72
100 20.88160 2,088.16
500 20.35152 10,175.76

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

שלח משוב