הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎BSC109N10NS3GATMA1CT-ND‎‏
כמות זמינה 17,508
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎BSC109N10NS3GATMA1‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 100V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 16 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎BSC109N10NS3 G‎‏
מסמכים קשורים אחרים ‏‎Part Number Guide‎‏
מוצר מוצג ‏‎Data Processing Systems‎‏
מכלל/מקור PCN ‏‎Assembly Site Add 20/Jun/2016‎‏
‏‎Assembly Site Update 26/Jul/2016‎‏
PCN אחר ‏‎Multiple Changes 09/Jul/2014‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Infineon Technologies‎‏

סדרה ‏‎OptiMOS™‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎100V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎63A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎6V, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎3.5V @ 45µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎35nC @ 10V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎2500pF @ 50V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±20V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎78W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎10.9 mOhm @ 46A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎PG-TDSON-8‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎‎8-PowerTDFN‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3 GCT-ND
BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND

14:00:58 3/23/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 4.64000 4.64
10 4.14000 41.40
100 3.22900 322.90
500 2.66740 1,333.70
1,000 2.10588 2,105.88

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
שלח משוב