הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎BSC123N08NS3GATMA1CT-ND‎‏
כמות זמינה 69,199
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎BSC123N08NS3GATMA1‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 80V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 16 ‏‏ שבועות
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Infineon Technologies‎‏

סדרה ‏‎OptiMOS™‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎80V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎11A (Ta), 55A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎6V, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎3.5V @ 33µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎25nC @ 10V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±20V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎1870pF @ 40V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎2.5W (Ta), 66W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎12.3 mOhm @ 33A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎PG-TDSON-8‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎‎8-PowerTDFN‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים BSC123N08NS3 GCT
BSC123N08NS3 GCT-ND
BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND

00:05:28 1/20/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 3.42000 3.42
10 3.01400 30.14
100 2.31190 231.19
500 1.82752 913.76
1,000 1.46202 1,462.02

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
שלח משוב