הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎BSC123N08NS3GATMA1CT-ND‎‏
כמות זמינה 43,980
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎BSC123N08NS3GATMA1‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 12 ‏‏ שבועות
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריה

מוצרי מוליכים למחצה בדידים

משפחה

טרנזיסטורים - FET‏, MOSFET‏, - יחיד

יצרן

‏‎Infineon Technologies‎‏

סדרה ‏‎OptiMOS™‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה ‏‎MOSFET (Metal Oxide)‎‏
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎80V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎11A (Ta), 55A (Tc)‎‏
‏‎Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)‎‏ ‏‎*‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎12.3 mOhm @ 33A, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎3.5V @ 33µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ @ Vgs ‏‎25nC @ 10V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) @ Vds ‏‎1870pF @ 40V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎*‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה ‏‎‎8-PowerTDFN‎‏
מארז ההתקן של הספק ‏‎PG-TDSON-8‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים BSC123N08NS3 GCT
BSC123N08NS3 GCT-ND
BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND

22:56:41 12/9/2016

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 3.46000 3.46
10 3.04600 30.46
100 2.33610 233.61
500 1.84660 923.30
1,000 1.47729 1,477.29

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
שלח משוב