הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND‎‏
כמות זמינה 20,105
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎BSZ160N10NS3GATMA1‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 100V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 10 ‏‏ שבועות
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Infineon Technologies‎‏

סדרה ‏‎OptiMOS™‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎100V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎8A (Ta), 40A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎6V, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎3.5V @ 12µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎25nC @ 10V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎1700pF @ 50V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±20V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎2.1W (Ta), 63W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎16 mOhm @ 20A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎PG-TSDSON-8‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎‎8-PowerTDFN‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים BSZ160N10NS3 GINCT
BSZ160N10NS3 GINCT-ND
BSZ160N10NS3GATMA1CT

02:52:05 2/24/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 5.19000 5.19
10 4.62300 46.23
100 3.60560 360.56
500 2.97858 1,489.29
1,000 2.35148 2,351.48

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
שלח משוב