הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND‎‏
כמות זמינה 13,917
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎IPD30N06S2L23ATMA3‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 55V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 26 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎IPD30N06S2L-23‎‏
מוצר מוצג ‏‎Data Processing Systems‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Infineon Technologies‎‏

סדרה ‏‎OptiMOS™‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎55V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎30A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎4.5V, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎2V @ 50µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎42nC @ 10V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎1091pF @ 25V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±20V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎100W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎23 mOhm @ 22A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎‎PG-TO252-3-11‎‎‏
מארז‏ / תיבה TO-252-3‏, DPak ‏(2 מוליכים + לשונית)‏, SC-63
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים IPD30N06S2L23ATMA3CT

21:25:08 2/20/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 3.63000 3.63
10 3.19300 31.93
100 2.44700 244.70
500 1.93436 967.18
1,000 1.54746 1,547.46

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
שלח משוב