הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎IXTY08N100D2-ND‎‏
כמות זמינה 2,139
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎IXTY08N100D2‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 10 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎IXT(Y,A,P)08N100D2‎‏
מוצר מוצג ‏‎Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎IXYS‎‏

סדרה ‏‎-‎‏
אריזה ? צינור ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎‎1000V (1kV)‎‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎800mA (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎-‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎-‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎14.6nC @ 5V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎325pF @ 25V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±20V‎‏
מאפיין FET מצב ריקון
פיזור הספק (מקס') ‏‎60W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎21 Ohm @ 400mA, 0V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎‎TO-252, (D-Pak)‎‎‏
מארז‏ / תיבה TO-252-3‏, DPak ‏(2 מוליכים + לשונית)‏, SC-63
 
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 70

17:24:01 2/27/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 10.22000 10.22
10 9.22900 92.29
25 8.24040 206.01
100 7.41640 741.64
250 6.59232 1,648.08
500 5.76828 2,884.14
1,000 4.77943 4,779.43
2,500 4.44982 11,124.54
5,000 4.28501 21,425.04

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

שלח משוב