הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SCT2080KEC-ND‎‏
כמות זמינה
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SCT2080KEC‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 20 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎SCT2080KE‎‏
הערות יישום של היצרן ‏‎SiC Power Devices and Modules‎‏
מודולי הדרכה למוצר ‏‎SiC MOSFETs‎‏
קובץ וידיאו ‏‎ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology‎‏
מוצר מוצג ‏‎2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs‎‏
‏‎1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Rohm Semiconductor‎‏

סדרה ‏‎-‎‏
אריזה ? צינור ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎‎1200V (1.2kV)‎‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎40A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎18V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎4V @ 4.4mA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎106nC @ 18V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎2080pF @ 800V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎+22V, -6V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎262W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎117 mOhm @ 10A, 18V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎175°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה חור מעבר
מארז ההתקן של הספק ‏‎TO-247‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎TO-247-3‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 360

05:51:17 3/24/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 98.21000 98.21
10 90.83900 908.39
25 83.47360 2,086.84
100 77.58060 7,758.06
250 71.19748 17,799.37

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

שלח משוב