הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SCT2450KEC-ND‎‏
כמות זמינה 346
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SCT2450KEC‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-247 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 18 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎SCT2450KE‎‏
הערות יישום של היצרן ‏‎SiC Power Devices and Modules‎‏
מודולי הדרכה למוצר ‏‎SiC MOSFETs‎‏
קובץ וידיאו ‏‎ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology‎‏
מוצר מוצג ‏‎2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs‎‏
‏‎1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Rohm Semiconductor‎‏

סדרה ‏‎-‎‏
אריזה ? צינור ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎‎1200V (1.2kV)‎‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎10A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎18V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎4V @ 900µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎27nC @ 18V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎463pF @ 800V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎+22V, -6V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎85W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎585 mOhm @ 3A, 18V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎175°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה חור מעבר
מארז ההתקן של הספק ‏‎TO-247‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎TO-247-3‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 360

08:10:04 3/26/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 34.96000 34.96
10 31.47000 314.70
25 28.67400 716.85
100 25.87590 2,587.59
250 23.77796 5,944.49
500 21.67994 10,839.97
1,000 18.88254 18,882.54

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

שלח משוב