הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SIA427DJ-T1-GE3CT-ND‎‏
כמות זמינה 25,044
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SIA427DJ-T1-GE3‎‏

תיאור ‏‎MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6‎‏
תיאור מורחב ‏‎P-Channel 8V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 13 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎SIA427DJ‎‏
קובץ וידיאו ‏‎MOSFET Technologies for Power Conversion‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Vishay Siliconix‎‏

סדרה ‏‎TrenchFET®‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת P
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎8V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎12A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎1.2V, 4.5V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎800mV @ 250µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎50nC @ 5V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎2300pF @ 4V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±5V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎3.5W (Ta), 19W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎16 mOhm @ 8.2A, 4.5V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק PowerPAK®‎ SC-70-6 יחיד
מארז‏ / תיבה ‏‎PowerPAK®‎ SC-70-6‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים SIA427DJ-T1-GE3CT

23:34:47 3/22/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 2.36000 2.36
10 2.02800 20.28
25 1.89280 47.32
100 1.51410 151.41
250 1.40604 351.51
500 1.18976 594.88
1,000 0.91935 919.35

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
  • סרט וסליל (TR)‏ ? : ‏‎SIA427DJ-T1-GE3TR-ND‎‏
  • כמות מזערית: 3,000
  • כמות זמינה: 24,000 - מיידית
  • מחיר יחידה: 0.81381
  • ‏‎Digi-Reel®‎‏ ? : ‏‎SIA427DJ-T1-GE3DKR-ND‎‏
  • כמות מזערית: 1
  • כמות זמינה: 25,044 - מיידית
  • מחיר יחידה: סליל Digi-Reel®
שלח משוב