הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SIHB33N60E-GE3-ND‎‏
כמות זמינה 5,018
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SIHB33N60E-GE3‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 600V 33A TO-263‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 19 ‏‏ שבועות
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Vishay Siliconix‎‏

סדרה ‏‎-‎‏
אריזה ? בתפזורת ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎600V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎33A (Tc)‎‏
‏‎Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)‎‏ ‏‎10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎4V @ 250µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ @ Vgs ‏‎150nC @ 10V‎‏
‏‎Vgs (Max)‎‏ ‏‎±30V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) @ Vds ‏‎3508pF @ 100V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎278W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎99 mOhm @ 16.5A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎‎D2PAK‎‎‏
מארז‏ / תיבה TO-263-3‏, D²Pak ‏(2 מוליכים + לשונית)‏, TO-263AB
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1,000
שמות אחרים SIHB33N60EGE3

23:06:05 1/16/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 24.55000 24.55
10 22.05900 220.59
25 20.85360 521.34
100 18.07230 1,807.23
250 17.14548 4,286.37
500 15.38460 7,692.30
1,000 12.97497 12,974.97
2,500 12.32622 30,815.55

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

שלח משוב