הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SIHB33N60E-GE3-ND‎‏
כמות זמינה 4,340
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SIHB33N60E-GE3‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 600V 33A TO-263‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 19 ‏‏ שבועות
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Vishay Siliconix‎‏

סדרה ‏‎-‎‏
אריזה ? בתפזורת ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎600V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎33A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎4V @ 250µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎150nC @ 10V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎3508pF @ 100V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±30V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎278W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎99 mOhm @ 16.5A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎‎D2PAK‎‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1,000
שמות אחרים SIHB33N60EGE3

12:25:09 3/25/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 24.72000 24.72
10 22.19400 221.94
25 20.98080 524.52
100 18.18340 1,818.34
250 17.25072 4,312.68
500 15.47900 7,739.50
1,000 13.05458 13,054.58

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

שלח משוב