הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SIR812DP-T1-GE3CT-ND‎‏
כמות זמינה 5,436
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SIR812DP-T1-GE3‎‏

תיאור ‏‎MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8‎‏
תיאור מורחב ‏‎N-Channel 30V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 19 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎SiR812DP‎‏
קובץ וידיאו ‏‎MOSFET Technologies for Power Conversion‎‏
תכן/מפרט PCN ‏‎Datasheet Update 22/Jun/2015‎‏
מכלל/מקור PCN ‏‎Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Vishay Siliconix‎‏

סדרה ‏‎TrenchFET®‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת N
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎30V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎60A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎4.5V, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎2.3V @ 250µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎335nC @ 10V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎10240pF @ 15V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±20V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎6.25W (Ta), 104W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎1.45 mOhm @ 20A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎PowerPAK® SO-8‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎PowerPAK®‎ SO-8‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים SIR812DP-T1-GE3CT

18:31:02 3/29/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 6.72000 6.72
10 6.00000 60.00
25 5.69320 142.33
100 4.67680 467.68
250 4.37168 1,092.92
500 3.86340 1,931.70
1,000 3.05007 3,050.07

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
  • סרט וסליל (TR)‏ ? : ‏‎SIR812DP-T1-GE3TR-ND‎‏
  • כמות מזערית: 3,000
  • כמות זמינה: 3,000 - מיידית
  • מחיר יחידה: 2.76381
  • ‏‎Digi-Reel®‎‏ ? : ‏‎SIR812DP-T1-GE3DKR-ND‎‏
  • כמות מזערית: 1
  • כמות זמינה: 5,436 - מיידית
  • מחיר יחידה: סליל Digi-Reel®
שלח משוב