הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SIS413DN-T1-GE3CT-ND‎‏
כמות זמינה 530
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SIS413DN-T1-GE3‎‏

תיאור ‏‎MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8‎‏
תיאור מורחב ‏‎P-Channel 30V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 15 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎SIS413DN‎‏
קובץ וידיאו ‏‎MOSFET Technologies for Power Conversion‎‏
מכלל/מקור PCN ‏‎Wafer Fab Addition 22/Jun/2015‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Vishay Siliconix‎‏

סדרה ‏‎TrenchFET®‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת P
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎30V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎18A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎4.5V, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎2.5V @ 250µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎110nC @ 10V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±20V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎4280pF @ 15V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎3.7W (Ta), 52W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎9.4 mOhm @ 15A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎PowerPAK® 1212-8‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎PowerPAK®‎ 1212-8‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים SIS413DN-T1-GE3CT

14:13:50 1/20/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 2.42000 2.42
10 2.12900 21.29
25 1.99880 49.97
100 1.63190 163.19
250 1.51576 378.94
500 1.28998 644.99
1,000 1.03199 1,031.99

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
  • ‏‎Digi-Reel®‎‏ ? : ‏‎SIS413DN-T1-GE3DKR-ND‎‏
  • כמות מזערית: 1
  • כמות זמינה: 530 - מיידית
  • מחיר יחידה: סליל Digi-Reel®
שלח משוב