הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SIS413DN-T1-GE3CT-ND‎‏
כמות זמינה
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SIS413DN-T1-GE3‎‏

תיאור ‏‎MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 15 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎SIS413DN‎‏
קובץ וידיאו ‏‎MOSFET Technologies for Power Conversion‎‏
מכלל/מקור PCN ‏‎Wafer Fab Addition 22/Jun/2015‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריה

מוצרי מוליכים למחצה בדידים

משפחה

טרנזיסטורים - FET‏, MOSFET‏, - יחיד

יצרן

‏‎Vishay Siliconix‎‏

סדרה ‏‎TrenchFET®‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת P
טכנולוגיה ‏‎MOSFET (Metal Oxide)‎‏
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎30V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎18A (Tc)‎‏
‏‎Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)‎‏ ‏‎*‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎9.4 mOhm @ 15A, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎2.5V @ 250µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ @ Vgs ‏‎110nC @ 10V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) @ Vds ‏‎4280pF @ 15V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎*‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה ‏‎PowerPAK®‎ 1212-8‎‏
מארז ההתקן של הספק ‏‎PowerPAK® 1212-8‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים SIS413DN-T1-GE3CT

23:02:36 12/9/2016

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 2.45000 2.45
10 2.15100 21.51
25 2.01960 50.49
100 1.64890 164.89
250 1.53160 382.90
500 1.30346 651.73
1,000 1.04276 1,042.76

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
שלח משוב