הוסף למועדפים
פרטי המוצר
מק"ט Digi-Key ‏‎SIS427EDN-T1-GE3CT-ND‎‏
כמות זמינה 12,068
ניתן לשלוח מידית
יצרן

מק"ט יצרן

‏‎SIS427EDN-T1-GE3‎‏

תיאור ‏‎MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8‎‏
תיאור מורחב ‏‎P-Channel 30V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 ‎‏
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS נטול עופרת / תואם RoHS
רמת רגישות ללחות (MSL) 1 (בלתי מוגבל)
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן 19 ‏‏ שבועות
מסמכים ומדיה
גיליונות נתונים ‏‎SIS427EDN‎‏
קובץ וידיאו ‏‎MOSFET Technologies for Power Conversion‎‏
מכלל/מקור PCN ‏‎Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014‎‏
מאפייני המוצר בחר הכול
קטגוריות
יצרן

‏‎Vishay Siliconix‎‏

סדרה ‏‎TrenchFET®‎‏
אריזה ? סרט חתוך (CT)‏ ?
סטטוס החלק פעיל
סוג FET תעלת P
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss) ‏‎30V‎‏
זרם - מרזב רציף (Id)‏ @ ‎25° C ‏‎50A (Tc)‎‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') ‏‎4.5V, 10V‎‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id ‏‎2.5V @ 250µA‎‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs ‏‎66nC @ 10V‎‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds ‏‎1930pF @ 15V‎‏
Vgs (מקס') ‏‎±25V‎‏
מאפיין FET ‏‎-‎‏
פיזור הספק (מקס') ‏‎3.7W (Ta), 52W (Tc)‎‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs ‏‎‎10.6 mOhm @ 11A, 10V‎‏
טמפרטורת פעולה ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏
סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק ‏‎PowerPAK® 1212-8‎‏
מארז‏ / תיבה ‏‎PowerPAK®‎ 1212-8‎‏
 
יתכן ותהיה מעוניין גם ב-
משאבים נוספים
אריזה רגילה ? 1
שמות אחרים SIS427EDN-T1-GE3CT

19:35:58 3/24/2017

מחירים ורכש
 

יש להקליד אותיות באנגלית בלבד.

כמות
כל המחירים הם ב- ILS.
מדרגת מחיר מחיר יחידה מחיר כולל
1 2.92000 2.92
10 2.56800 25.68
25 2.41440 60.36
100 1.97010 197.01
250 1.83004 457.51
500 1.55748 778.74
1,000 1.24597 1,245.97

הגש בקשה להצעת מחיר עבור כמויות הגדולות מאלו המוצגות

אריזה חלופית | חלק זה זמין גם באריזה הבאה:
  • סרט וסליל (TR)‏ ? : ‏‎SIS427EDN-T1-GE3TR-ND‎‏
  • כמות מזערית: 3,000
  • כמות זמינה: 9,000 - מיידית
  • מחיר יחידה: 1.09628
  • ‏‎Digi-Reel®‎‏ ? : ‏‎SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND‎‏
  • כמות מזערית: 1
  • כמות זמינה: 12,068 - מיידית
  • מחיר יחידה: סליל Digi-Reel®
שלח משוב