Name: SI4160DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4160DY-T1-GE3TR-ND
Price: 7.8588 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SI4160DY-T1-GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SI4160DY-T1-GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SI4160DY-T1-GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SI4160DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SI4160DY-T1-GE3
תיאור	MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 38
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 25.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) הרכבה משטחית 8-SOIC
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏2.4‏ ב-µA‏250‏
יצרן Vishay Siliconix	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 54 nC @ 10 V
סדרה TrenchFET®	Vgs (מקס') ±20V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 2071 pF @ 15 V
סטטוס החלק פעיל	פיזור הספק (מקס') 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
סוג FET תעלת N	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30 V	מארז ההתקן של הספק 8-SOIC
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 25.4A (Tc)	מארז‏ / תיבה ‎8-SOIC (רוחב "0.154, 3.90 מ"מ)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מספר מוצר בסיס SI4160
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏4.9‏, A‏15‏, V‏10‏

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (10)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
BSO040N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	340	448-BSO040N03MSGXUMA1CT-ND	7.18000 ₪	דומים
IRF7832TRPBF	Infineon Technologies	17,828	IRF7832PBFCT-ND	5.84000 ₪	דומים
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	115,720	IRF8734TRPBFCT-ND	4.82000 ₪	דומים
IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	27,817	IRF8736TRPBFCT-ND	3.64000 ₪	דומים
RS1E150GNTB	Rohm Semiconductor	2,225	RS1E150GNTBCT-ND	3.12000 ₪	דומים