Name: SQJ411EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ411EP-T1_GE3TR-ND
Price: 7.906 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SQJ411EP-T1_GE3
מק"ט מוצר של DigiKey	SQJ411EP-T1_GE3TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SQJ411EP-T1_GE3CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SQJ411EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Vishay Siliconix
מק"ט מוצר של היצרן	SQJ411EP-T1_GE3
תיאור	MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 27
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 12 V 60A (Tc) 68W (Tc) הרכבה משטחית PowerPAK® SO-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Vishay Siliconix
סדרה	TrenchFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	12 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	60A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	2.5V, 4.5V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏5.8‏, A‏15‏, V‏4.5‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏1.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	150 nC @ 4.5 V
Vgs (מקס')	±8V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	9100 pF @ 6 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	68W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PowerPAK® SO-8
מארז‏ / תיבה	PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיס	SQJ411