SQP120N10-09_GE3 Vishay Siliconix | FETs‏, MOSFETs‏ יחידים

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 180 nC @ 10 V
יצרן Vishay Siliconix	Vgs (מקס') ±20V
סדרה TrenchFET®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 8645 pF @ 25 V
אריזה צינור	פיזור הספק (מקס') 375W (Tc)
סטטוס החלק מוצר שהתיישן	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ)
סוג FET תעלת N	דירוג לרכב
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	הרשאה AEC-Q101
מתח מרזב-למקור (Vdss) 100 V	סוג ההרכבה חור מעבר
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 120A (Tc)	מארז ההתקן של הספק ‎TO-220AB‎
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V	מארז‏ / תיבה ‎TO-220-3
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏9.5‏, A‏30‏, V‏10‏	מספר מוצר בסיס SQP120
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏3.5‏ ב-µA‏250‏

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (4)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
FDP085N10A-F102	onsemi	0	FDP085N10A-F102-ND	11.10000 ₪	דומים
IPP083N10N5AKSA1	Infineon Technologies	0	IPP083N10N5AKSA1-ND	3.29774 ₪	דומים
IRFB4410ZPBF	Infineon Technologies	3,174	448-IRFB4410ZPBF-ND	8.22000 ₪	דומים
TK34E10N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	20	TK34E10N1S1X-ND	8.19000 ₪	דומים

207 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

מוצר זה אינו מיוצר יותר, וכאשר המוצר יאזל מהמלאי, הוא לא יהיה זמין יותר. הצגת תחליפים.

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

צינור

מארז סטנדרטי של היצרן

הערה: עקב שירותי הערך-המוסף של DigiKey, סוג האריזה עשוי להשתנות כאשר המוצר נרכש בכמויות שהן פחות מאשר באריזה הסטנדרטית.

מחיר יחידה ללא מע"מ:	12.98000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:	15.31640 ₪

SQP120N10-09_GE3