6.5A (Tc) FETs‏, MOSFETs‏ יחידים

הצגת

מתוך 73

מק"ט יצרן #	כמות זמינה	מחיר	סדרה	מארז	סטטוס המוצר	סוג FET	טכנולוגיה	מתח מרזב-למקור (Vdss)	זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	Vgs (מקס')	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	מאפיין FET	פיזור הספק (מקס')	טמפרטורת פעולה	דירוג	הרשאה	סוג ההרכבה	מארז ההתקן של הספק	מארז‏ / תיבה
STN4NF03L MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 STMicroelectronics	5,535 קיים במלאי	1 : 4.16000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 4,000 : 1.01468 ₪ סרט וסליל (TR)‏	STripFET™ II	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	30 V	6.5A (Tc)	5V, 10V	mOhm‏50‏, A‏2‏, V‏10‏	V‏1‏ ב-µA‏250‏	9 nC @ 10 V	±16V	330 pF @ 25 V	-	3.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
TSM240N03CX RFG MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23 Taiwan Semiconductor Corporation	31,355 קיים במלאי	1 : 2.15000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 0.49070 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	30 V	6.5A (Tc)	4.5V, 10V	mOhm‏24‏, A‏6‏, V‏10‏	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏	4.1 nC @ 4.5 V	±20V	345 pF @ 25 V	-	1.56W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TSM260P02CX RFG -20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO Taiwan Semiconductor Corporation	12,001 קיים במלאי	1 : 2.90000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 0.68472 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	20 V	6.5A (Tc)	1.8V, 2.5V, 4.5V	mOhm‏26‏, A‏5‏, V‏4.5‏	V‏1‏ ב-µA‏250‏	19.5 nC @ 4.5 V	±10V	1670 pF @ 15 V	-	1.56W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	SOT-23	-
TSM260P02CX6 RFG MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26 Taiwan Semiconductor Corporation	10,596 קיים במלאי	1 : 3.19000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 0.76966 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	20 V	6.5A (Tc)	1.8V, 4.5V	mOhm‏26‏, A‏5‏, V‏4.5‏	V‏1‏ ב-µA‏250‏	19.5 nC @ 4.5 V	±10V	1670 pF @ 15 V	-	1.56W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	SOT-26	SOT-23-6
IRF9630PBF-BE3 MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB Vishay Siliconix	1,680 קיים במלאי	1 : 12.11000 ₪ צינור	-	צינור	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	200 V	6.5A (Tc)	-	mOhm‏800‏, A‏3.9‏, V‏10‏	V‏4‏ ב-µA‏250‏	29 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	חור מעבר	‎TO-220AB‎	‎TO-220-3
IRF9630PBF MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB Vishay Siliconix	700 קיים במלאי	1 : 12.11000 ₪ צינור	-	צינור	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	200 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏800‏, A‏3.9‏, V‏10‏	V‏4‏ ב-µA‏250‏	29 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	חור מעבר	‎TO-220AB‎	‎TO-220-3
IRF9630SPBF MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK Vishay Siliconix	2,489 קיים במלאי	1 : 12.90000 ₪ צינור	-	צינור	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	200 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏800‏, A‏3.9‏, V‏10‏	V‏4‏ ב-µA‏250‏	29 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	TO-263 (D2PAK)	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
STP8NK100Z MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB STMicroelectronics	1,052 קיים במלאי	1 : 21.65000 ₪ צינור	SuperMESH™	צינור	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	1000 V	6.5A (Tc)	10V	Ohm‏1.85‏ ב-A‏3.15‏, V‏10‏	V‏4.5‏ ב-µA‏100‏	102 nC @ 10 V	±30V	2180 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	חור מעבר	TO-220	‎TO-220-3
IPD25DP06NMATMA1 MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Infineon Technologies	635 קיים במלאי	1 : 4.19000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 2,500 : 1.08477 ₪ סרט וסליל (TR)‏	OptiMOS™	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	60 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏250‏, A‏6.5‏, V‏10‏	V‏4‏ ב-µA‏270‏	10.6 nC @ 10 V	±20V	420 pF @ 30 V	-	28W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	PG-TO252-3-313	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏
STL13N65M2 MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT STMicroelectronics	1,947 קיים במלאי	1 : 9.28000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 2.71166 ₪ סרט וסליל (TR)‏	MDmesh™ M2	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	650 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏475‏, A‏3‏, V‏10‏	V‏4‏ ב-µA‏250‏	17 nC @ 10 V	±25V	590 pF @ 100 V	-	52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	PowerFlat™ (5x6) HV	‎8-PowerVDFN
STD9NM60N MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK STMicroelectronics	2,317 קיים במלאי	1 : 11.47000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 2,500 : 3.57794 ₪ סרט וסליל (TR)‏	MDmesh™ II	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	600 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏745‏, A‏3.25‏, V‏10‏	V‏4‏ ב-µA‏250‏	17.4 nC @ 10 V	±25V	452 pF @ 50 V	-	70W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	DPAK	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏
STD7NM80 MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK STMicroelectronics	1,764 קיים במלאי	1 : 16.24000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 2,500 : 5.73788 ₪ סרט וסליל (TR)‏	MDmesh™	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	800 V	6.5A (Tc)	10V	Ohm‏1.05‏ ב-A‏3.25‏, V‏10‏	V‏5‏ ב-µA‏250‏	18 nC @ 10 V	±30V	620 pF @ 25 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	DPAK	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏
STF7NM80 MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP STMicroelectronics	362 קיים במלאי	1 : 18.10000 ₪ צינור	MDmesh™	צינור	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	800 V	6.5A (Tc)	10V	Ohm‏1.05‏ ב-A‏3.25‏, V‏10‏	V‏5‏ ב-µA‏250‏	18 nC @ 10 V	±30V	620 pF @ 25 V	-	25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	חור מעבר	TO-220FP	TO-220-3 מארז מלא
STF8NK100Z MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP STMicroelectronics	809 קיים במלאי	1 : 20.72000 ₪ צינור	SuperMESH™	צינור	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	1000 V	6.5A (Tc)	10V	Ohm‏1.85‏ ב-A‏3.15‏, V‏10‏	V‏4.5‏ ב-µA‏100‏	102 nC @ 10 V	±30V	2180 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	חור מעבר	TO-220FP	TO-220-3 מארז מלא
TSM240N03CX6 RFG MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26 Taiwan Semiconductor Corporation	11,497 קיים במלאי	1 : 2.47000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 0.57443 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	30 V	6.5A (Tc)	4.5V, 10V	mOhm‏24‏, A‏6‏, V‏10‏	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏	4.1 nC @ 4.5 V	±20V	345 pF @ 25 V	-	1.56W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	SOT-26	SOT-23-6
SIHF9630STRL-GE3 MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK Vishay Siliconix	773 קיים במלאי	1 : 6.70000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 800 : 2.13556 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	200 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏800‏, A‏3.9‏, V‏10‏	V‏4‏ ב-µA‏250‏	29 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	TO-263 (D2PAK)	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
RQ6C065BCTCR MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 Rohm Semiconductor	5,773 קיים במלאי	1 : 4.27000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 1.07596 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	20 V	6.5A (Tc)	4.5V	mOhm‏21‏, A‏6.5‏, V‏4.5‏	V‏1.2‏ ב-mA‏1‏	22 nC @ 4.5 V	±8V	1520 pF @ 10 V	-	1.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	TSMT6 (SC-95)	SOT-23-6 דק‏, TSOT-23-6
SIHF9630S-GE3 MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK Vishay Siliconix	995 קיים במלאי	1 : 8.03000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 1,000 : 2.56003 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	200 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏800‏, A‏3.9‏, V‏10‏	V‏4‏ ב-µA‏250‏	29 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	3W (Ta), 74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	TO-263 (D2PAK)	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
TP65H300G4LSGB-TR GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 Renesas Electronics Corporation	2,997 קיים במלאי	1 : 14.98000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 5.15231 ₪ סרט וסליל (TR)‏	SuperGaN®	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	פעיל	תעלת N	GaNFET (גליום ניטריד)	650 V	6.5A (Tc)	6V	mOhm‏312‏, A‏6.5‏, V‏6‏	V‏2.8‏ ב-µA‏500‏	8.8 nC @ 10 V	±12V	730 pF @ 400 V	-	21W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	‎8-PQFN (8×8)‎	‎8-VDFN‏, פדים חשופים
SSF3912S MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 30V- Good-Ark Semiconductor	8,935 קיים במלאי	1 : 0.54000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 0.20545 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	30 V	6.5A (Tc)	4.5V, 10V	mOhm‏24‏, A‏6‏, V‏10‏	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏	8 nC @ 4.5 V	±20V	500 pF @ 25 V	-	1.56W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSF3912 MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 30V, Good-Ark Semiconductor	6,000 קיים במלאי	3,000 : 0.29327 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏	פעיל	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	30 V	6.5A (Tc)	4.5V, 10V	mOhm‏24‏, A‏6‏, V‏10‏	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏	8 nC @ 4.5 V	±20V	500 pF @ 25 V	-	1.56W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	‎SOT-23-6L‎	SOT-23-6
SSF2307 MOSFET, P-CH, SINGLE, -6.50A, -2 Good-Ark Semiconductor	6,902 קיים במלאי	1 : 1.04000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 0.21395 ₪ סרט וסליל (TR)‏	-	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏	פעיל	תעלת P	MOSFET (תחמוצת מתכת)	20 V	6.5A (Tc)	1.8V, 4.5V	mOhm‏23‏, A‏5‏, V‏4.5‏	V‏1‏ ב-µA‏250‏	29 nC @ 4.5 V	±10V	2430 pF @ 15 V	-	1.56W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	‎SOT-23-6L‎	SOT-23-6
IPSA70R750P7SAKMA1 MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3 Infineon Technologies	0 קיים במלאי	1,500 : 1.18100 ₪ צינור	CoolMOS™ P7	צינור	מוצר שהתיישן	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	700 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏750‏, A‏1.4‏, V‏10‏	V‏3.5‏ ב-µA‏70‏	8.3 nC @ 400 V	±16V	306 pF @ 400 V	-	34.7W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	חור מעבר	‎PG-TO251-3‎	3‏-251‏-TO‏ מוליכים קצרים, IPAK‏, AA‏251‏-TO‏
IPN70R750P7SATMA1 MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Infineon Technologies	8,016 קיים במלאי	1 : 1.97000 ₪ סרט חתוך (CT)‏ 3,000 : 0.78236 ₪ סרט וסליל (TR)‏	CoolMOS™ P7	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	אפשרות אחרונה לרכישה	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	700 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏750‏, A‏1.4‏, V‏10‏	V‏3.5‏ ב-µA‏70‏	8.3 nC @ 10 V	±16V	306 pF @ 400 V	-	6.7W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	הרכבה משטחית	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
IPA70R750P7SXKSA1 MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220 Infineon Technologies	0 קיים במלאי	500 : 1.84228 ₪ צינור	CoolMOS™ P7	צינור	מוצר שהתיישן	תעלת N	MOSFET (תחמוצת מתכת)	700 V	6.5A (Tc)	10V	mOhm‏750‏, A‏1.4‏, V‏10‏	V‏3.5‏ ב-µA‏70‏	8.3 nC @ 400 V	±16V	306 pF @ 400 V	-	21.2W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	חור מעבר	‎PG-TO220-FP‎	TO-220-3 מארז מלא

הצגת

מתוך 73

FET‏ יחיד, MOSFETs‏

טרנזיסטורי אפקט-שדה (FETs‏) יחידים וטרנזיסטורי אפקט-שדה מוליכים-למחצה-תחמוצת-מתכת (MOSFETs‏) הם סוגים של טרנזיסטורים המשמשים להגברה או מיתוג של אותות אלקטרוניקה.

FET יחיד פועל על ידי בקרת זרימת הזרם החשמלי בין הדקי המקור (Source‏) והמרזב (Drain‏) דרך שדה חשמלי הנוצר על ידי מתח המופעל על הדק השער. היתרון העיקרי של FETs‏ הוא אימפדנס הכניסה הגבוה שלהם, ההופך אותם לאידיאליים עבור שימוש בהגברת אותות ובמעגלים אנלוגיים. הם בשימוש נרחב ביישומים כגון מגברים, מתנדים וחוצצים במעגלים אלקטרוניים.

ל-MOSFETs‏, תת-סוג של FET, יש הדק שער מבודד מהערוץ על ידי שכבת תחמוצת דקה, מה שמשפר את ביצועיהם והופך אותם ליעילים ביותר. ניתן לסווג MOSFETs לשני סוגים נוספים:

טרנזיסטורי MOSFET תעלת n: כאשר אלקטרונים הם הנשאים העיקריים.
טרנזיסטורי MOSFET תעלת p: כאשר חורים הם הנשאים העיקריים.

ה-MOSFETs‏ עדיפים ביישומים רבים בשל צריכת ההספק הנמוכה, המיתוג המהיר ויכולתם לטפל בזרמים ומתחים גדולים. הם חיוניים במעגלים דיגיטליים ואנלוגיים, כולל ספקי כוח, דוחפי מנועים ויישומי תדרי רדיו.

ניתן לחלק את פעולתם של MOSFETs‏ לשני אופנים:

אופן הגברה: באופן זה ה-MOSFET בדרך כלל כבוי כאשר מתח מקור-שער הוא אפס. זה דורש מתח מקור-שער חיובי (עבור ערוץ n) או מתח מקור-שער שלילי (עבור ערוץ p) כדי לפעול.
אופן מיחסור: באופן זה ה-MOSFET מופעל-במצב-רגיל כאשר מתח מקור-שער הוא אפס. הפעלת מתח שער-מקור בעל קוטביות הפוכה יכולה לכבות אותו.

MOSFETs‏ מציעים מספר יתרונות, כגון:

נצילות גבוהה: הם צורכים מעט מאוד הספק ויכולים להחליף מצבים במהירות, מה שהופך אותם ליעילים ביותר עבור יישומי ניהול צריכת הספק.
התנגדות מצב-מופעל נמוכה: יש להם התנגדות נמוכה כאשר הם מופעלים, מה שממזער הפסדי הספק וייצור חום.
אימפדנס כניסה גבוה: מבנה השער המבודד יוצר אימפדנס כניסה גבוה ביותר,ההופך אותם לאידיאליים עבור הגברת אותות עם אימפדנס גבוה.

לסיכום, FETs‏ יחידים, ובמיוחד MOSFETs, הם רכיבים בסיסיים באלקטרוניקה מודרנית, הידועים בנצילות הגבוהה, במהירות הגבוהה ובוורסאטיליות שלהם במגוון רחב של יישומים, החל מהגברת אותות בהספק נמוך ועד למיתוג ובקרה בהספק גבוה.

FET‏ יחיד, MOSFETs‏

מידע

עזרה

צרו קשר

עקבו אחרינו