מודולי IGBT

הצגת

מתוך 2,696

מק"ט יצרן #	כמות זמינה	מחיר	סדרה	מארז	סטטוס המוצר	סוג IGBT	תצורה	מתח - פריצת קולט-פולט (מקס')	זרם - קולט (Ic) (מקס')	הספק - מקס'	Vce(On)‎‏ (מקס') @‏ ‏Vge‏, ‏ Ic	זרם - קיטעון קולט (מקס')	קיבוליות כניסה (Cies‏) @ Vce	הוספות	תרמיסטור NTC	טמפרטורת פעולה	סוג ההרכבה	מארז‏ / תיבה	מארז ההתקן של הספק
APT60GA60JD60 IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP Microchip Technology	1,248 קיים במלאי	1 : 116.73000 ₪ צינור	POWER MOS 8™	צינור	פעיל	PT	יחיד	600 V	112 A	356 W	V‏2.5‏ ב-V‏15‏, A‏62‏	275 µA	8.01 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	‎ISOTOP®‎‎
IXYN100N120C3H1 IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B IXYS	345 קיים במלאי	1 : 157.87000 ₪ צינור	XPT™, GenX3™	צינור	פעיל	-	יחיד	1200 V	134 A	690 W	V‏3.5‏ ב-V‏15‏, A‏100‏	50 µA	6 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXYN110N120C4H1 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	226 קיים במלאי	1 : 171.54000 ₪ צינור	XPT™	צינור	פעיל	Trench	יחיד	1200 V	210 A	830 W	V‏2.4‏ ב-V‏15‏, A‏110‏	50 µA	5420 pF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 175°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	303 קיים במלאי	1 : 176.96000 ₪ צינור	HEXFRED®	צינור	פעיל	Trench Field Stop	יחיד	1200 V	281 A	1087 W	V‏2.05‏ ב-V‏15‏, A‏100‏	100 µA	9.35 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	323 קיים במלאי	1 : 182.62000 ₪ צינור	-	צינור	פעיל	NPT	יחיד	1200 V	150 A	660 W	V‏2.7‏ ב-V‏15‏, A‏75‏	4 mA	5.5 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXGN100N170 IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B IXYS	282 קיים במלאי	1 : 223.68000 ₪ צינור	-	צינור	פעיל	NPT	יחיד	1700 V	160 A	735 W	V‏3‏ ב-V‏15‏, A‏100‏	50 µA	9.22 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	82 קיים במלאי	1 : 349.33000 ₪ מגש	-	מגש	פעיל	Trench Field Stop	יחיד	1200 V	400 A	2400 W	V‏2.1‏ ב-V‏15‏, A‏400‏	5 mA	28 nF @ 25 V	סטנדרטי	כן	-40°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	מודול
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	6 קיים במלאי 164 Marketplace	1 : 385.68000 ₪ מגש	C	בתפזורת מגש	פעיל	Trench Field Stop	חצי-גשר	600 V	260 A	680 W	V‏1.9‏ ב-V‏15‏, A‏200‏	5 mA	-	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	מודול
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	29 קיים במלאי	1 : 427.17000 ₪ מגש	C	מגש	פעיל	-	יחיד	1200 V	600 A	3000 W	V‏2.1‏ ב-V‏15‏, A‏600‏	5 mA	1.7 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 125°C	הרכבה בשלדה	מודול	מודול
FF300R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 450A 1600W Infineon Technologies	62 קיים במלאי	1 : 445.95000 ₪ מגש	C	מגש	פעיל	Trench Field Stop	חצי-גשר	1200 V	450 A	1600 W	V‏2.15‏ ב-V‏15‏, A‏300‏	5 mA	19 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	מודול
FF400R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 500A 1250W Infineon Technologies	27 קיים במלאי	1 : 523.70000 ₪ מגש	C	מגש	פעיל	Trench Field Stop	חצי-גשר	600 V	500 A	1250 W	V‏1.9‏ ב-V‏15‏, A‏400‏	5 mA	-	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	מודול
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	44 קיים במלאי	1 : 556.51000 ₪ מגש	C	מגש	פעיל	Trench Field Stop	יחיד	1700 V	1200 A	3350 W	V‏2.3‏ ב-V‏15‏, A‏600‏	1 mA	49 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 150°C	הרכבה בשלדה	מודול	מודול
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	82 קיים במלאי	1 : 611.87000 ₪ מגש	C	מגש	פעיל	Trench Field Stop	יחיד	1200 V	900 A	4300 W	V‏2.1‏ ב-V‏15‏, A‏900‏	5 mA	56 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	מודול
NXH800H120L7QDSG 1200V 800A QDUAL3 onsemi	35 קיים במלאי 768 מפעל	1 : 733.51000 ₪ מגש	-	מגש	פעיל	Trench Field Stop	חצי-גשר	1200 V	800 A	-	V‏2.05‏ ב-V‏15‏, A‏800‏	100 µA	94300 pF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 175°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	PIM‏-11‏ (62.15‏x‏152‏)
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies	90 קיים במלאי	1 : 2,611.99000 ₪ תיבה	HybridPACK™	תיבה	פעיל	-	מהפך תלת-מופעי	750 V	1.15 kA	1 kW	V‏1.21‏ ב-V‏15‏, A‏600‏	1 mA	60800 pF @ 50 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 175°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	-
IXXN200N60B3 IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B IXYS	129 קיים במלאי	1 : 113.82000 ₪ צינור	XPT™, GenX3™	צינור	פעיל	PT	יחיד	600 V	280 A	940 W	V‏1.7‏ ב-V‏15‏, A‏100‏	50 µA	9.97 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 175°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B IXYS	230 קיים במלאי	1 : 115.87000 ₪ צינור	XPT™, GenX4™	צינור	פעיל	PT	יחיד	650 V	215 A	750 W	V‏2.1‏ ב-V‏15‏, A‏110‏	50 µA	3.65 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 175°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	116 קיים במלאי	1 : 141.84000 ₪ צינור	-	צינור	פעיל	Trench Field Stop	יחיד	1200 V	124 A	379 W	V‏2.1‏ ב-V‏15‏, A‏75‏	200 µA	4.8 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	ISOTOP	‎ISOTOP®‎‎
IXYN120N120C3 IGBT MOD 1200V 240A SOT227B IXYS	183 קיים במלאי	1 : 160.66000 ₪ צינור	XPT™, GenX3™	צינור	פעיל	-	יחיד	1200 V	240 A	1200 W	V‏3.2‏ ב-V‏15‏, A‏120‏	25 µA	-	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 175°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B - miniBLOC
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	1,609 קיים במלאי	1 : 170.17000 ₪ צינור	GenX3™	צינור	פעיל	PT	יחיד	600 V	320 A	735 W	V‏1.25‏ ב-V‏15‏, A‏100‏	150 µA	18 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GP120JDQ3 IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Microchip Technology	890 קיים במלאי	1 : 185.29000 ₪ צינור	POWER MOS 7®	צינור	פעיל	PT	יחיד	1200 V	128 A	543 W	V‏3.9‏ ב-V‏15‏, A‏75‏	1.25 mA	7.04 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	ISOTOP	‎ISOTOP®‎‎
IXGN400N60B3 IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B IXYS	266 קיים במלאי	1 : 196.92000 ₪ צינור	GenX3™	צינור	פעיל	PT	יחיד	600 V	430 A	1000 W	V‏1.4‏ ב-V‏15‏, A‏100‏	100 µA	31 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-55°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-40MT120PHAPBF MTP - HALF BRIDGE IGBT Vishay General Semiconductor - Diodes Division	39 קיים במלאי	1 : 239.99000 ₪ צינור	-	צינור	פעיל	Trench Field Stop	חצי-גשר	1200 V	75 A	305 W	V‏2.65‏ ב-V‏15‏, A‏40‏	50 µA	3.2 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 150°C (TJ)	חור מעבר	‎12-MTP, מודול	12-MTP
FP35R12W2T4B11BOMA1 IGBT MOD 1200V 54A 215W Infineon Technologies	18 קיים במלאי 40 Marketplace	1 : 254.29000 ₪ מגש	-	בתפזורת מגש	פעיל	Trench Field Stop	מהפך תלת-מופעי	1200 V	54 A	215 W	V‏2.25‏ ב-V‏15‏, A‏35‏	1 mA	2 nF @ 25 V	סטנדרטי	כן	-40°C ~ 150°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	מודול
FF150R12KE3GB2HOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 150A Infineon Technologies	15 קיים במלאי 190 Marketplace	1 : 409.09000 ₪ מגש	C	בתפזורת מגש	פעיל	Trench Field Stop	מהפך חצי-גשר	1200 V	225 A	780 W	V‏2.15‏ ב-V‏15‏, A‏150‏	5 mA	11 nF @ 25 V	סטנדרטי	לא	-40°C ~ 125°C (TJ)	הרכבה בשלדה	מודול	מודול

הצגת

מתוך 2,696

טרנזיסטורים ביפולריים עם שער מבודד (IGBT) הם התקני מוליכים-למחצה להספק עם שלושה הדקים המשמשים בעיקר כמתגים אלקטרוניים ומשלבים נצילות גבוהה ומיתוג מהיר. כמודולים, טרנזיסטורי IGBT מוגדרים כגשרים א-סימטריים, Boost‏, Buck וקוצצי בלימה, ממירי גשר-מלא ומהפכי שלוש רמות ותלת-פאזיים. לכמה מהם יש תרמיסטורים NTC מובנים עבור ניטור טמפרטורה. מודולי IGBT נבדלים לפי ההספק המקסימלי, זרם הקולט (Collector), מתח הפריצה קולט (Collector) - פולט (Emitter) והתצורה.

מודולי IGBT

מודולי IGBT

מידע

עזרה

צרו קשר

עקבו אחרינו