מפתח מוצרים ‏‎ < ‎‏מוצרי מוליכים למחצה בדידים‏‎ < ‎‏טרנזיסטורים - IGBT‏ - מודולים

תוצאות: 2,013
2,013 נותרו
אפשרויות סינון:
יצרן
נקה
סדרה
נקה
סטטוס החלק
נקה
סוג IGBT
נקה
תצורה
נקה
מתח - פריצת קולט-פולט (מקס')

נקה
זרם - קולט (Ic) (מקס')

נקה
הספק - מקס'

נקה
Vce(On)‎‏ (מקס') @‏ ‏Vge‏, ‏ Ic
נקה
זרם - קיטעון קולט (מקס')

נקה
קיבוליות כניסה (Cies‏) @ Vce

נקה
כניסה
נקה
תרמיסטור NTC
נקה
טמפרטורת פעולה
נקה
סוג ההרכבה
נקה
מארז‏ / תיבה
נקה
מארז ההתקן של הספק
נקה
יותר מסננים
פחות מסננים
מיון תוצאות לפי:
הצגת המחיר ב-: ?
  • מצב מלאי
  • מדיה זמינה
  • סביבה
2,013 נותרו
תוצאות לעמוד
דף 1/81
|< < 1 2 3 4 5 >|
השווה חלקים Datasheets תמונה מק"ט Digi-Key מק"ט יצרן יצרן תיאור כמות זמינה
?
מחיר יחידה
ILS
?
כמות מזערית
?
סדרה סטטוס החלק סוג IGBT תצורה מתח - פריצת קולט-פולט (מקס') זרם - קולט (Ic) (מקס') הספק - מקס' Vce(On)‎‏ (מקס') @‏ ‏Vge‏, ‏ Ic זרם - קיטעון קולט (מקס') קיבוליות כניסה (Cies‏) @ Vce כניסה תרמיסטור NTC טמפרטורת פעולה סוג ההרכבה מארז‏ / תיבה מארז ההתקן של הספק
   
&rlm;&lrm;IXXN110N65B4H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXXN110N65B4H1 - IXYS ‏‎IXXN110N65B4H1-ND‎‏
‏‎IGBT 650V 215A 750W SOT227B‎‏ 310 - מיידית זמין: 310 93.26000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎™GenX4™, XPT‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎650V‎‏ ‏‎215A‎‏ ‏‎750W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 110A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎3.65nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;IXXN110N65C4H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXXN110N65C4H1 - IXYS ‏‎IXXN110N65C4H1-ND‎‏
‏‎IGBT 650V 210A 750W SOT227B‎‏ 270 - מיידית זמין: 270 93.26000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎™GenX4™, XPT‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎650V‎‏ ‏‎210A‎‏ ‏‎750W‎‏ ‏‎2.35V @ 15V, 110A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎3.69nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;IXDN55N120D1 Datasheet&lrm;&rlm; IXDN55N120D1 - IXYS ‏‎IXDN55N120D1-ND‎‏
‏‎IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B‎‏ 250 - מיידית זמין: 250 119.80000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎NPT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎100A‎‏ ‏‎450W‎‏ ‏‎2.8V @ 15V, 55A‎‏ ‏‎3.8mA‎‏ ‏‎3.3nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;IXYN100N120C3H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXYN100N120C3H1 - IXYS ‏‎IXYN100N120C3H1-ND‎‏
‏‎IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B‎‏ 133 - מיידית זמין: 133 158.66000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎XPT™, GenX3™‎‏ פעיל
‏‎-‎‏
יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎134A‎‏ ‏‎690W‎‏ ‏‎3.5V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎6nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;APT45GP120JDQ2 Datasheet&lrm;&rlm; APT45GP120JDQ2 - Microsemi Corporation ‏‎APT45GP120JDQ2-ND‎‏
‏‎IGBT 1200V 75A 329W SOT227‎‏ 110 - מיידית זמין: 110 159.56000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎POWER MOS 7®‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎75A‎‏ ‏‎329W‎‏ ‏‎3.9V @ 15V, 45A‎‏ ‏‎750µA‎‏ ‏‎4nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;APT75GP120JDQ3 Datasheet&lrm;&rlm; APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation ‏‎APT75GP120JDQ3-ND‎‏
‏‎IGBT 1200V 128A 543W SOT227‎‏ 380 - מיידית זמין: 380 174.16000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎POWER MOS 7®‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎128A‎‏ ‏‎543W‎‏ ‏‎3.9V @ 15V, 75A‎‏ ‏‎1.25mA‎‏ ‏‎7.04nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;VS-GT180DA120U Datasheet&lrm;&rlm; VS-GT180DA120U - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-GT180DA120U-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V SOT-227‎‏ 103 - מיידית זמין: 103 175.17000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎HEXFRED®‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎281A‎‏ ‏‎1087W‎‏ ‏‎2.05V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎100µA‎‏ ‏‎9350pF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;VS-GA250SA60S Datasheet&lrm;&rlm; VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-GA250SA60SGI-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 400A SOT227‎‏ 146 - מיידית זמין: 146 307.30000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎400A‎‏ ‏‎961W‎‏ ‏‎1.66V @ 15V, 200A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎16.25nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;FZ400R12KE4HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FZ400R12KE4HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FZ400R12KE4HOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 1200V 400A‎‏ 28 - מיידית זמין: 28 393.38000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎400A‎‏ ‏‎2400W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 400A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎28nF @ 25V‎‏ סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FF400R06KE3HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FF400R06KE3HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FF400R06KE3HOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 600V 400A‎‏ 30 - מיידית זמין: 30 471.19000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎500A‎‏ ‏‎1250W‎‏ ‏‎1.9V @ 15V, 400A‎‏ ‏‎5mA‎‏
-
סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FF300R12KT4HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FF300R12KT4HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FF300R12KT4HOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 1200V 300A‎‏ 66 - מיידית זמין: 66 477.79000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎450A‎‏ ‏‎1600W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 300A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎19nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FF450R12KT4HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FF450R12KT4HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FF450R12KT4HOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 1200V 450A‎‏ 78 - מיידית זמין: 78 605.50000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎580A‎‏ ‏‎2400W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 450A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎28nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FZ900R12KE4HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FZ900R12KE4HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FZ900R12KE4HOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 1200V 900A‎‏ 58 - מיידית זמין: 58 605.50000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎900A‎‏ ‏‎4300W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 900A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎56nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FS150R12KT4BOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FS150R12KT4BOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FS150R12KT4BOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 1200V 150A‎‏ 34 - מיידית זמין: 34 700.05000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ מהפך תלת-מופעי ‏‎1200V‎‏ ‏‎150A‎‏ ‏‎750W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 150A‎‏ ‏‎1mA‎‏
-
סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FS200R12KT4RBOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FS200R12KT4RBOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FS200R12KT4RBOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 1200V 200A‎‏ 32 - מיידית זמין: 32 815.95000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎NPT‎‏ מהפך תלת-מופעי ‏‎1200V‎‏ ‏‎280A‎‏ ‏‎1000W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 200A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎14nF @ 25V‎‏ סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FF600R12ME4BOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; Photo Not Available ‏‎FF600R12ME4BOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE VCES 600V 600A‎‏ 58 - מיידית זמין: 58 885.49000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ 2 בלתי תלויים ‏‎1200V‎‏
-
‏‎4050W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 600A‎‏ ‏‎3mA‎‏ ‏‎37nF @ 25V‎‏ סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 150°C‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;APT75GN120JDQ3 Datasheet&lrm;&rlm; APT75GN120JDQ3 - Microsemi Corporation ‏‎APT75GN120JDQ3-ND‎‏
‏‎IGBT 1200V 124A 379W SOT227‎‏ 125 - מיידית זמין: 125 129.36000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎124A‎‏ ‏‎379W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 75A‎‏ ‏‎200µA‎‏ ‏‎4.8nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;APT100GT120JU2 Datasheet&lrm;&rlm; APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation ‏‎APT100GT120JU2-ND‎‏
‏‎IGBT 1200V 140A 480W SOT227‎‏ 204 - מיידית זמין: 204 137.98000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎140A‎‏ ‏‎480W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎7.2nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;IXYN82N120C3H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXYN82N120C3H1 - IXYS ‏‎IXYN82N120C3H1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B‎‏ 110 - מיידית זמין: 110 148.28000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎XPT™, GenX3™‎‏ פעיל
‏‎-‎‏
יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎105A‎‏ ‏‎500W‎‏ ‏‎3.2V @ 15V, 82A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎4060pF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;VS-CPV364M4FPBF Datasheet&lrm;&rlm; VS-CPV364M4FPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-CPV364M4FPBF-ND‎‏ ‏‎MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP‎‏ 213 - מיידית זמין: 213 167.37000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
-
‏‎600V‎‏ ‏‎27A‎‏ ‏‎63W‎‏ ‏‎1.5V @ 15V, 15A‎‏ ‏‎250µA‎‏ ‏‎2.2nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ חור מעבר 9‎-SIP‏1 (13 מוליכים)‏, IMS-2 ‏‎IMS-2‎‏
&rlm;&lrm;APT150GN120JDQ4 Datasheet&lrm;&rlm; APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation ‏‎APT150GN120JDQ4-ND‎‏
‏‎IGBT 1200V 215A 625W SOT227‎‏ 162 - מיידית זמין: 162 217.98000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎215A‎‏ ‏‎625W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 150A‎‏ ‏‎300µA‎‏ ‏‎9.5nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;VS-50MT060WHTAPBF Datasheet&lrm;&rlm; VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-50MT060WHTAPBF-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 114A 658W MTP‎‏ 189 - מיידית זמין: 189 225.35000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎114A‎‏ ‏‎658W‎‏ ‏‎3.2V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎400µA‎‏ ‏‎7.1nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎12-MTP, מודול ‏‎MTP‎‏
&rlm;&lrm;MG12150S-BN2MM Datasheet&lrm;&rlm; MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6498-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 200A 625W PKG S‎‏ 89 - מיידית זמין: 89 353.27000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎200A‎‏ ‏‎625W‎‏ 1.7V @ 15V, 150A (אופייני) ‏‎1mA‎‏ ‏‎10.5nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 125°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎S-3, מודול ‏‎S3‎‏
&rlm;&lrm;MG06200S-BN4MM Datasheet&lrm;&rlm; MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6493-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 300A 600W PKG S‎‏ 61 - מיידית זמין: 61 367.74000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎300A‎‏ ‏‎600W‎‏ 1.45V @ 15V, 200A (אופייני) ‏‎1mA‎‏ ‏‎13nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎S-3, מודול ‏‎S3‎‏
&rlm;&lrm;FF200R17KE3HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FF200R17KE3HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FF200R17KE3HOSA1-ND‎‏
‏‎IGBT MODULE 1700V 200A‎‏ 121 - מיידית זמין: 121 519.15000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1700V‎‏ ‏‎310A‎‏ ‏‎1250W‎‏ ‏‎2.45V @ 15V, 200A‎‏ ‏‎3mA‎‏ ‏‎18nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 125°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
תוצאות לעמוד
דף 1/81
|< < 1 2 3 4 5 >|

08:27:41 7/21/2019