מפתח מוצרים ‏‎ < ‎‏מוצרי מוליכים למחצה בדידים‏‎ < ‎‏טרנזיסטורים - IGBT‏ - מודולים

תוצאות: 1,987       1,987 שנותרו
יצרןסדרהסטטוס החלקסוג IGBTתצורהמתח - פריצת קולט-פולט (מקס')זרם - קולט (Ic) (מקס')הספק - מקס'Vce(On)‎‏ (מקס') @‏ ‏Vge‏, ‏ Icזרם - קיטעון קולט (מקס')קיבוליות כניסה (Cies‏) @ Vceכניסהתרמיסטור NTCטמפרטורת פעולהסוג ההרכבהמארז‏ / תיבהמארז ההתקן של הספק
נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה נקה
  • מצב מלאי
  • מדיה זמינה
  • סביבה
   1,987 שנותרו
תוצאות לעמוד
דף 1/80
|< < 1 2 3 4 5 >|
?
השווה חלקים Datasheets תמונה מק"ט Digi-Key מק"ט יצרן יצרן תיאור כמות זמינה
?
מחיר יחידה
ILS
?
כמות מזערית
?
סדרה סטטוס החלק סוג IGBT תצורה מתח - פריצת קולט-פולט (מקס') זרם - קולט (Ic) (מקס') הספק - מקס' Vce(On)‎‏ (מקס') @‏ ‏Vge‏, ‏ Ic זרם - קיטעון קולט (מקס') קיבוליות כניסה (Cies‏) @ Vce כניסה תרמיסטור NTC טמפרטורת פעולה סוג ההרכבה מארז‏ / תיבה מארז ההתקן של הספק
   
&rlm;&lrm;IXXN110N65C4H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXXN110N65C4H1 - IXYS ‏‎IXXN110N65C4H1-ND‎‏ ‏‎IGBT 650V 210A 750W SOT227B‎‏ 214 - מיידית
95.09000 ₪ 1 ‏‎™GenX4™, XPT‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎650V‎‏ ‏‎210A‎‏ ‏‎750W‎‏ ‏‎2.35V @ 15V, 110A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎3.69nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;IXGN320N60A3 Datasheet&lrm;&rlm; IXGN320N60A3 - IXYS ‏‎IXGN320N60A3-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V SOT-227B‎‏ 105 - מיידית
111.80000 ₪ 1 ‏‎GenX3™‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎320A‎‏ ‏‎735W‎‏ ‏‎1.25V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎150µA‎‏ ‏‎18nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;APT200GN60J Datasheet&lrm;&rlm; APT200GN60J - Microsemi Corporation ‏‎APT200GN60J-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 283A 682W SOT227‎‏ 160 - מיידית
135.95000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎283A‎‏ ‏‎682W‎‏ ‏‎1.85V @ 15V, 200A‎‏ ‏‎25µA‎‏ ‏‎14.1nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;FS25R12W1T4BOMA1 Datasheet&lrm;&rlm; FS25R12W1T4BOMA1 - Infineon Technologies ‏‎FS25R12W1T4BOMA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 25A‎‏ 168 - מיידית
150.35000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ מהפך תלת-מופעי ‏‎1200V‎‏ ‏‎45A‎‏ ‏‎205W‎‏ ‏‎2.25V @ 15V, 25A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎1.45nF @ 25V‎‏ סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;APT75GP120JDQ3 Datasheet&lrm;&rlm; APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation ‏‎APT75GP120JDQ3-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 128A 543W SOT227‎‏ 599 - מיידית
177.56000 ₪ 1 ‏‎POWER MOS 7®‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎128A‎‏ ‏‎543W‎‏ ‏‎3.9V @ 15V, 75A‎‏ ‏‎1.25mA‎‏ ‏‎7.04nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;MG1250S-BA1MM Datasheet&lrm;&rlm; MG1250S-BA1MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6494-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 80A 500W PKG S‎‏ 139 - מיידית
229.76000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎80A‎‏ ‏‎500W‎‏ 1.8V @ 15V, 50A (אופייני) ‏‎500µA‎‏ ‏‎4.29nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎S-3, מודול ‏‎S3‎‏
&rlm;&lrm;VS-50MT060WHTAPBF Datasheet&lrm;&rlm; VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-50MT060WHTAPBF-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 114A 658W MTP‎‏ 221 - מיידית
241.26000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎114A‎‏ ‏‎658W‎‏ ‏‎3.2V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎400µA‎‏ ‏‎7.1nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎12-MTP, מודול ‏‎MTP‎‏
&rlm;&lrm;VS-GA250SA60S Datasheet&lrm;&rlm; VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-GA250SA60SGI-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 400A SOT227‎‏ 272 - מיידית
328.98000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎400A‎‏ ‏‎961W‎‏ ‏‎1.66V @ 15V, 200A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎16.25nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;FF450R12KT4HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; Photo Not Available ‏‎FF450R12KT4HOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 450A‎‏ 89 - מיידית
648.18000 ₪ 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎580A‎‏ ‏‎2400W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 450A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎28nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;APTGT600A60G Datasheet&lrm;&rlm; APTGT600A60G - Microsemi Corporation ‏‎APTGT600A60G-ND‎‏ ‏‎POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6‎‏ 97 - מיידית
683.59000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎700A‎‏ ‏‎2300W‎‏ ‏‎1.8V @ 15V, 600A‎‏ ‏‎750µA‎‏ ‏‎49nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 175°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SP6‎‏ ‏‎SP6‎‏
&rlm;&lrm;BSM50GP120BOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; BSM50GP120BOSA1 - Infineon Technologies ‏‎BSM50GP120BOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 50A‎‏ 50 - מיידית
722.02000 ₪
-
‏‎*‎‏
לא עבור תכנים חדשים: החלק זמין לרכישה
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;APTGT600U170D4G Datasheet&lrm;&rlm; APTGT600U170D4G - Microsemi Corporation ‏‎APTGT600U170D4G-ND‎‏ ‏‎IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4‎‏ 51 - מיידית
736.82000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1700V‎‏ ‏‎1100A‎‏ ‏‎2900W‎‏ ‏‎2.4V @ 15V, 600A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎51nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎D4‎‏ ‏‎D4‎‏
&rlm;&lrm;APT45GP120JDQ2 Datasheet&lrm;&rlm; APT45GP120JDQ2 - Microsemi Corporation ‏‎APT45GP120JDQ2-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 75A 329W SOT227‎‏ 113 - מיידית
162.68000 ₪ 1 ‏‎POWER MOS 7®‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎75A‎‏ ‏‎329W‎‏ ‏‎3.9V @ 15V, 45A‎‏ ‏‎750µA‎‏ ‏‎4nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;MG12150S-BN2MM Datasheet&lrm;&rlm; MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6498-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 200A 625W PKG S‎‏ 57 - מיידית
360.17000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎200A‎‏ ‏‎625W‎‏ 1.7V @ 15V, 150A (אופייני) ‏‎1mA‎‏ ‏‎10.5nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 125°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎S-3, מודול ‏‎S3‎‏
&rlm;&lrm;VS-40MT120UHAPBF Datasheet&lrm;&rlm; Photo Not Available ‏‎VS-40MT120UHAPBF-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 80A 463W MTP‎‏ 76 - מיידית
433.42000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎NPT‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎80A‎‏ ‏‎463W‎‏ ‏‎4.91V @ 15V, 80A‎‏ ‏‎250µA‎‏ ‏‎8.28nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎12-MTP, מודול ‏‎MTP‎‏
&rlm;&lrm;MG12200D-BA1MM Datasheet&lrm;&rlm; MG12200D-BA1MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6481-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 300A 1400W PKG D‎‏ 30 - מיידית
496.04000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎300A‎‏ ‏‎1400W‎‏ 1.8V @ 15V, 200A (אופייני) ‏‎1mA‎‏ ‏‎14.9nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול ‏‎D3‎‏
&rlm;&lrm;FF400R06KE3HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FF400R06KE3HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FF400R06KE3HOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 600V 400A‎‏ 56 - מיידית
504.43000 ₪ 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎500A‎‏ ‏‎1250W‎‏ ‏‎1.9V @ 15V, 400A‎‏ ‏‎5mA‎‏
-
סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FF900R12IE4BOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; Photo Not Available ‏‎FF900R12IE4BOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 900A‎‏ 32 - מיידית
2,039.86000 ₪ 1 ‏‎PrimePack™2‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎900A‎‏ ‏‎5100W‎‏ ‏‎2.05V @ 15V, 900A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎54nF @ 25V‎‏ סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;VS-GP250SA60S Datasheet&lrm;&rlm; VS-GP250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-GP250SA60S-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 380A 893W SOT-227‎‏ 0
זמן הספקה סטנדרטי 29 ‏ שבועות
105.43000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎PT, Trench‎‏ יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎380A‎‏ ‏‎893W‎‏ ‏‎1.3V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎100µA‎‏
-
סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;APT100GT120JU2 Datasheet&lrm;&rlm; APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation ‏‎APT100GT120JU2-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 140A 480W SOT227‎‏ 449 - מיידית
136.66000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎140A‎‏ ‏‎480W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎7.2nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;MG06200S-BN4MM Datasheet&lrm;&rlm; MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6493-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 300A 600W PKG S‎‏ 114 - מיידית
374.93000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎300A‎‏ ‏‎600W‎‏ 1.45V @ 15V, 200A (אופייני) ‏‎1mA‎‏ ‏‎13nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎S-3, מודול ‏‎S3‎‏
&rlm;&lrm;APT85GR120J Datasheet&lrm;&rlm; APT85GR120J - Microsemi Corporation ‏‎APT85GR120J-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP‎‏ 116 - מיידית
141.40000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎NPT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎116A‎‏ ‏‎543W‎‏ ‏‎3.2V @ 15V, 85A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎8.4nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;APT75GP120J Datasheet&lrm;&rlm; APT75GP120J - Microsemi Corporation ‏‎APT75GP120J-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 128A 543W SOT227‎‏ 127 - מיידית
165.15000 ₪ 1 ‏‎POWER MOS 7®‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎128A‎‏ ‏‎543W‎‏ ‏‎3.9V @ 15V, 75A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎7.04nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;APT60GF120JRDQ3 Datasheet&lrm;&rlm; APT60GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation ‏‎APT60GF120JRDQ3-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 149A 625W SOT227‎‏ 31 - מיידית
330.41000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎NPT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎149A‎‏ ‏‎625W‎‏ ‏‎3V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎350µA‎‏ ‏‎7.08nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;MG06150S-BN4MM Datasheet&lrm;&rlm; MG06150S-BN4MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6492-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 225A 500W PKG S‎‏ 51 - מיידית
331.53000 ₪ 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎225A‎‏ ‏‎500W‎‏ 1.45V @ 15V, 150A (אופייני) ‏‎1mA‎‏ ‏‎9.3nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎S-3, מודול ‏‎S3‎‏
תוצאות לעמוד
דף 1/80
|< < 1 2 3 4 5 >|

01:48:19 7/16/2018