מפתח מוצרים ‏‎ < ‎‏מוצרי מוליכים למחצה בדידים‏‎ < ‎‏טרנזיסטורים - IGBT‏ - מודולים

תוצאות: 1,983
1,983 נותרו
אפשרויות סינון:
יצרן
נקה
סדרה
נקה
סטטוס החלק
נקה
סוג IGBT
נקה
תצורה
נקה
מתח - פריצת קולט-פולט (מקס')

נקה
זרם - קולט (Ic) (מקס')

נקה
הספק - מקס'

נקה
Vce(On)‎‏ (מקס') @‏ ‏Vge‏, ‏ Ic
נקה
זרם - קיטעון קולט (מקס')

נקה
קיבוליות כניסה (Cies‏) @ Vce

נקה
כניסה
נקה
תרמיסטור NTC
נקה
טמפרטורת פעולה
נקה
סוג ההרכבה
נקה
מארז‏ / תיבה
נקה
מארז ההתקן של הספק
נקה
יותר מסננים
פחות מסננים
מיון תוצאות לפי:
הצגת המחיר ב-: ?
  • מצב מלאי
  • מדיה זמינה
  • סביבה
1,983 נותרו
תוצאות לעמוד
דף 1/80
|< < 1 2 3 4 5 >|
השווה חלקים Datasheets תמונה מק"ט Digi-Key מק"ט יצרן יצרן תיאור כמות זמינה
?
מחיר יחידה
ILS
?
כמות מזערית
?
סדרה סטטוס החלק סוג IGBT תצורה מתח - פריצת קולט-פולט (מקס') זרם - קולט (Ic) (מקס') הספק - מקס' Vce(On)‎‏ (מקס') @‏ ‏Vge‏, ‏ Ic זרם - קיטעון קולט (מקס') קיבוליות כניסה (Cies‏) @ Vce כניסה תרמיסטור NTC טמפרטורת פעולה סוג ההרכבה מארז‏ / תיבה מארז ההתקן של הספק
   
&rlm;&lrm;IXXN110N65C4H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXXN110N65C4H1 - IXYS ‏‎IXXN110N65C4H1-ND‎‏ ‏‎IGBT 650V 210A 750W SOT227B‎‏ 627 - מיידית זמין: 627 96.39000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎™GenX4™, XPT‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎650V‎‏ ‏‎210A‎‏ ‏‎750W‎‏ ‏‎2.35V @ 15V, 110A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎3.69nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;IXXN110N65B4H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXXN110N65B4H1 - IXYS ‏‎IXXN110N65B4H1-ND‎‏ ‏‎IGBT 650V 215A 750W SOT227B‎‏ 367 - מיידית זמין: 367 96.39000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎™GenX4™, XPT‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎650V‎‏ ‏‎215A‎‏ ‏‎750W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 110A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎3.65nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;IXGN320N60A3 Datasheet&lrm;&rlm; IXGN320N60A3 - IXYS ‏‎IXGN320N60A3-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V SOT-227B‎‏ 194 - מיידית זמין: 194 113.33000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎GenX3™‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎320A‎‏ ‏‎735W‎‏ ‏‎1.25V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎150µA‎‏ ‏‎18nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;APT75GP120JDQ3 Datasheet&lrm;&rlm; APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation ‏‎APT75GP120JDQ3-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 128A 543W SOT227‎‏ 634 - מיידית זמין: 634 179.99000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎POWER MOS 7®‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎128A‎‏ ‏‎543W‎‏ ‏‎3.9V @ 15V, 75A‎‏ ‏‎1.25mA‎‏ ‏‎7.04nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;FF50R12RT4HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FF50R12RT4HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FF50R12RT4HOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 50A‎‏ 121 - מיידית זמין: 121 194.39000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎50A‎‏ ‏‎285W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 50A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎2.8nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;MG1250S-BA1MM Datasheet&lrm;&rlm; MG1250S-BA1MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6494-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 80A 500W PKG S‎‏ 106 - מיידית זמין: 106 232.91000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎80A‎‏ ‏‎500W‎‏ 1.8V @ 15V, 50A (אופייני) ‏‎500µA‎‏ ‏‎4.29nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎S-3, מודול ‏‎S3‎‏
&rlm;&lrm;VS-50MT060WHTAPBF Datasheet&lrm;&rlm; VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-50MT060WHTAPBF-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 114A 658W MTP‎‏ 218 - מיידית זמין: 218 244.56000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎600V‎‏ ‏‎114A‎‏ ‏‎658W‎‏ ‏‎3.2V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎400µA‎‏ ‏‎7.1nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎12-MTP, מודול ‏‎MTP‎‏
&rlm;&lrm;FS75R12KT4B15BOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FS75R12KT4B15BOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FS75R12KT4B15BOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 75A‎‏ 27 - מיידית זמין: 27 442.98000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ מהפך תלת-מופעי ‏‎1200V‎‏ ‏‎75A‎‏ ‏‎385W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 75A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎4.3nF @ 25V‎‏ סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FF450R12KT4HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; Photo Not Available ‏‎FF450R12KT4HOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 450A‎‏ 46 - מיידית זמין: 46 657.06000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎580A‎‏ ‏‎2400W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 450A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎28nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FZ600R17KE3HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FZ600R17KE3HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FZ600R17KE3HOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1700V 600A‎‏ 37 - מיידית זמין: 37 715.17000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎*‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1700V‎‏ ‏‎840A‎‏ ‏‎3150W‎‏ ‏‎2.45V @ 15V, 600A‎‏ ‏‎3mA‎‏ ‏‎54nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 125°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;FS150R12KE3BOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FS150R12KE3BOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FS150R12KE3BOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 150A‎‏ 31 - מיידית זמין: 31 793.82000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎NPT‎‏ מהפך תלת-מופעי ‏‎1200V‎‏ ‏‎200A‎‏ ‏‎700W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 150A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎10.5nF @ 25V‎‏ סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 125°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;IXYN100N65C3H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXYN100N65C3H1 - IXYS ‏‎IXYN100N65C3H1-ND‎‏ ‏‎IGBT XPT 650V 166A SOT-227B‎‏ 1,793 - מיידית זמין: 1,793 101.63000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎™GenX3™, XPT‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎650V‎‏ ‏‎166A‎‏ ‏‎600W‎‏ ‏‎2.3V @ 15V, 70A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎4.98nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏ שלדה, תושבת יתד ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;STGE200NB60S Datasheet&lrm;&rlm; STGE200NB60S - STMicroelectronics ‏‎497-6731-5-ND‎‏ ‏‎IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP‎‏ 196 - מיידית זמין: 196 112.76000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎PowerMESH™‎‏ פעיל
‏‎-‎‏
יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎200A‎‏ ‏‎600W‎‏ ‏‎1.6V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎500µA‎‏ ‏‎1.56nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎ISOTOP‎‏
&rlm;&lrm;APT200GN60J Datasheet&lrm;&rlm; APT200GN60J - Microsemi Corporation ‏‎APT200GN60J-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 283A 682W SOT227‎‏ 150 - מיידית זמין: 150 137.81000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎283A‎‏ ‏‎682W‎‏ ‏‎1.85V @ 15V, 200A‎‏ ‏‎25µA‎‏ ‏‎14.1nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 175°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;APT100GT120JU2 Datasheet&lrm;&rlm; APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation ‏‎APT100GT120JU2-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 140A 480W SOT227‎‏ 132 - מיידית זמין: 132 138.53000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎140A‎‏ ‏‎480W‎‏ ‏‎2.1V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎5mA‎‏ ‏‎7.2nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;IXYN82N120C3H1 Datasheet&lrm;&rlm; IXYN82N120C3H1 - IXYS ‏‎IXYN82N120C3H1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B‎‏ 136 - מיידית זמין: 136 153.25000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎XPT™, GenX3™‎‏ פעיל
‏‎-‎‏
יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎105A‎‏ ‏‎500W‎‏ ‏‎3.2V @ 15V, 82A‎‏ ‏‎50µA‎‏ ‏‎4060pF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227B‎‏
&rlm;&lrm;APT45GP120JDQ2 Datasheet&lrm;&rlm; APT45GP120JDQ2 - Microsemi Corporation ‏‎APT45GP120JDQ2-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 75A 329W SOT227‎‏ 120 - מיידית זמין: 120 164.91000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎POWER MOS 7®‎‏ פעיל ‏‎PT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎75A‎‏ ‏‎329W‎‏ ‏‎3.9V @ 15V, 45A‎‏ ‏‎750µA‎‏ ‏‎4nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-55°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎ISOTOP‎‏ ‏‎‎ISOTOP®‎‎‎‏
&rlm;&lrm;VS-CPV364M4FPBF Datasheet&lrm;&rlm; VS-CPV364M4FPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-CPV364M4FPBF-ND‎‏ ‏‎MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP‎‏ 480 - מיידית זמין: 480 181.61000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
-
‏‎600V‎‏ ‏‎27A‎‏ ‏‎63W‎‏ ‏‎1.5V @ 15V, 15A‎‏ ‏‎250µA‎‏ ‏‎2.2nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ חור מעבר 9‎-SIP‏1 (13 מוליכים)‏, IMS-2 ‏‎IMS-2‎‏
&rlm;&lrm;MG12150S-BN2MM Datasheet&lrm;&rlm; MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6498-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 200A 625W PKG S‎‏ 36 - מיידית זמין: 36 365.11000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎200A‎‏ ‏‎625W‎‏ 1.7V @ 15V, 150A (אופייני) ‏‎1mA‎‏ ‏‎10.5nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 125°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‎S-3, מודול ‏‎S3‎‏
&rlm;&lrm;VS-GB90DA120U Datasheet&lrm;&rlm; Photo Not Available ‏‎VS-GB90DA120U-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 149A 862W SOT-227‎‏ 320 - מיידית זמין: 320 370.92000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎NPT‎‏ יחיד ‏‎1200V‎‏ ‏‎149A‎‏ ‏‎862W‎‏ ‏‎3.8V @ 15V, 75A‎‏ ‏‎250µA‎‏
-
סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;FP50R12KT4B11BOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FP50R12KT4B11BOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FP50R12KT4B11BOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1200V 50A‎‏ 42 - מיידית זמין: 42 430.60000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎*‎‏
פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ מהפך תלת-מופעי ‏‎1200V‎‏ ‏‎50A‎‏ ‏‎280W‎‏ ‏‎2.15V @ 15V, 50A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎2.8nF @ 25V‎‏ סטנדרטי כן ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;MG12200D-BA1MM Datasheet&lrm;&rlm; MG12200D-BA1MM - Littelfuse Inc. ‏‎F6481-ND‎‏ ‏‎IGBT 1200V 300A 1400W PKG D‎‏ 30 - מיידית זמין: 30 502.83000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
חצי-גשר ‏‎1200V‎‏ ‏‎300A‎‏ ‏‎1400W‎‏ 1.8V @ 15V, 200A (אופייני) ‏‎1mA‎‏ ‏‎14.9nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול ‏‎D3‎‏
&rlm;&lrm;FF200R17KE3HOSA1 Datasheet&lrm;&rlm; FF200R17KE3HOSA1 - Infineon Technologies ‏‎FF200R17KE3HOSA1-ND‎‏ ‏‎IGBT MODULE 1700V 200A‎‏ 143 - מיידית זמין: 143 563.37000 ₪ 1 מינימום: 1 ‏‎C‎‏ פעיל ‏‎Trench Field Stop‎‏ חצי-גשר ‏‎1700V‎‏ ‏‎310A‎‏ ‏‎1250W‎‏ ‏‎2.45V @ 15V, 200A‎‏ ‏‎3mA‎‏ ‏‎18nF @ 25V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 125°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה מודול מודול
&rlm;&lrm;VS-GP250SA60S Datasheet&lrm;&rlm; VS-GP250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-GP250SA60S-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 380A 893W SOT-227‎‏ 430 - מיידית זמין: 430 106.87000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל ‏‎PT, Trench‎‏ יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎380A‎‏ ‏‎893W‎‏ ‏‎1.3V @ 15V, 100A‎‏ ‏‎100µA‎‏
-
סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4, miniBLOC‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
&rlm;&lrm;VS-GA250SA60S Datasheet&lrm;&rlm; VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division ‏‎VS-GA250SA60SGI-ND‎‏ ‏‎IGBT 600V 400A SOT227‎‏ 242 - מיידית זמין: 242 333.49000 ₪ 1 מינימום: 1
‏‎-‎‏
פעיל
‏‎-‎‏
יחיד ‏‎600V‎‏ ‏‎400A‎‏ ‏‎961W‎‏ ‏‎1.66V @ 15V, 200A‎‏ ‏‎1mA‎‏ ‏‎16.25nF @ 30V‎‏ סטנדרטי לא ‏‎-40°C ~ 150°C (TJ)‎‏ הרכבה בשלדה ‏‎SOT-227-4‎‏ ‏‎SOT-227‎‏
תוצאות לעמוד
דף 1/80
|< < 1 2 3 4 5 >|

07:38:15 12/10/2018