Name: DMT10H015LCG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H015LCG-13-ND
Price: 1.62668 ILS
Availability: OutOfStock

DMT10H015LCG-13 זמין לרכישה אך בדרך כלל אינו במלאי.

תחליפים זמינים:

אקוויוולנטים-פרמטרית

Diodes Incorporated

קיים במלאי: 3,026

מחיר יחידה : 5.41000 ₪

דומים

Infineon Technologies

קיים במלאי: 0

מחיר יחידה : 0.00000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

DMT10H015LCG-13
מק"ט מוצר של DigiKey	DMT10H015LCG-13-ND - סרט וסליל (TR)‏
יצרן	Diodes Incorporated
מק"ט מוצר של היצרן	DMT10H015LCG-13
תיאור	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 12
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 9.4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) הרכבה משטחית V-DFN3333-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	DMT10H015LCG-13 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Diodes Incorporated
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	9.4A (Ta), 34A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏15‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	33.3 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1871 pF @ 50 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	1W (Ta)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 155°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	V-DFN3333-8
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	DMT10