Name: DMT10H015LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LFG-13TR-ND
Price: 8.1302 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

DMT10H015LFG-13
מק"ט מוצר של DigiKey	31-DMT10H015LFG-13TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 31-DMT10H015LFG-13CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 31-DMT10H015LFG-13DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Diodes Incorporated
מק"ט מוצר של היצרן	DMT10H015LFG-13
תיאור	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 40
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) הרכבה משטחית POWERDI3333-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏3.5‏ ב-µA‏250‏
יצרן Diodes Incorporated	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 33.3 nC @ 10 V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	Vgs (מקס') ±20V
סטטוס החלק פעיל	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 1871 pF @ 50 V
סוג FET תעלת N	פיזור הספק (מקס') 2W (Ta), 35W (Tc)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
מתח מרזב-למקור (Vdss) 100 V	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 10A (Ta), 42A (Tc)	מארז ההתקן של הספק POWERDI3333-8
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 6V, 10V	מארז‏ / תיבה ‎8-PowerVDFN
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏13.5‏, A‏20‏, V‏10‏	מספר מוצר בסיס DMT10

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (3)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
DMT10H015LFG-7	Diodes Incorporated	11,482	DMT10H015LFG-7DICT-ND	6.89000 ₪	אקוויוולנטים-פרמטרית
IRFH5210TRPBF	Infineon Technologies	4,542	IRFH5210TRPBFCT-ND	6.56000 ₪	דומים
TPN13008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	1,748	TPN13008NHL1QCT-ND	5.57000 ₪	דומים