Name: DMTH10H009LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND
Price: 2.15571 ILS
Availability: OutOfStock

DMTH10H009LFGQ-7 זמין לרכישה אך בדרך כלל אינו במלאי.

תחליפים זמינים:

אקוויוולנטים-פרמטרית

Diodes Incorporated

קיים במלאי: 0

מחיר יחידה : 1.74893 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

DMTH10H009LFGQ-7
מק"ט מוצר של DigiKey	31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND - סרט וסליל (TR)‏
יצרן	Diodes Incorporated
מק"ט מוצר של היצרן	DMTH10H009LFGQ-7
תיאור	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 40
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 12A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) הרכבה משטחית POWERDI3333-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Diodes Incorporated
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	12A (Ta), 46A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏8.5‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2361 pF @ 50 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	2.5W (Ta), 39W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	POWERDI3333-8
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN