GE12160CEA3 GE Aerospace | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

GE12160CEA3
מק"ט מוצר של DigiKey	4014-GE12160CEA3-ND
יצרן	GE Aerospace
מק"ט מוצר של היצרן	GE12160CEA3
תיאור	MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 1.425kA (Tc) 3.75kW הרכבה בשלדה מודול
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	GE Aerospace
סדרה	SiC Power
אריזה	בתפזורת
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	קרביד סיליקון (SiC)
תצורה	שתי תעלות-N (חצי-גשר)
מאפיין FET	-
מתח מרזב-למקור (Vdss)	1200V (1.2kV)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	1.425kA (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏1.5‏, A‏475‏, V‏20‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4.5‏ ב-mA‏480‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	3744nC ב-18V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	90000pF ב-600V
הספק - מקס'	3.75kW
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה בשלדה
מארז‏ / תיבה	מודול
מארז ההתקן של הספק	מודול
מספר מוצר בסיס	GE12160