Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 7.5874 ILS
Availability: OutOfStock

BSZ123N08NS3GATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	BSZ123N08NS3GATMA1
תיאור	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 61
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) הרכבה משטחית PG-TSDSON-8
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	BSZ123N08NS3GATMA1 דגמים

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	80 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	10A (Ta), 40A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	6V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏12.3‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.5‏ ב-µA‏33‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1700 pF @ 40 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	2.1W (Ta), 66W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-TSDSON-8
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיס	BSZ123

כמות	מחיר יחידה	סה"כ
5,000	1.67617 ₪	8,380.85 ₪
10,000	1.64973 ₪	16,497.30 ₪

מחיר יחידה ללא מע"מ:	6.43000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:	7.58740 ₪

BSZ123N08NS3GATMA1