MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 190A (Tc) הרכבה בשלדה AG-62MMHB
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

FF3MR12KM1HHPSA1

מק"ט מוצר של DigiKey
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
יצרן
מק"ט מוצר של היצרן
FF3MR12KM1HHPSA1
תיאור
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן
שבועות 23
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 190A (Tc) הרכבה בשלדה AG-62MMHB
גיליון נתונים
 גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD
FF3MR12KM1HHPSA1 דגמים
מאפייני המוצר
סוג
תיאור
בחרו הכול
קטגוריה
יצרן
Infineon Technologies
סדרה
אריזה
תיבה
סטטוס החלק
פעיל
טכנולוגיה
קרביד סיליקון (SiC)
תצורה
שתי תעלות-N (חצי-גשר)
מאפיין FET
-
מתח מרזב-למקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C
190A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs
mOhm‏4.44‏, A‏280‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id
V‏5.1‏ ב-mA‏112‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs
nC‏800‏ ב-V‏18‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds
pF‏24200‏ ב-V‏800‏
הספק - מקס'
-
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C (TJ)
דירוג
-
הרשאה
-
סוג ההרכבה
הרכבה בשלדה
מארז‏ / תיבה
מודול
מארז ההתקן של הספק
AG-62MMHB
שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

13 :‏ במלאי
בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף
כל המחירים הם ב- ILS
תיבה
כמות מחיר יחידה סה"כ
11,026.63000 ₪1,026.63 ₪
10884.90800 ₪8,849.08 ₪
30843.51367 ₪25,305.41 ₪
מארז סטנדרטי של היצרן
מחיר יחידה ללא מע"מ:1,026.63000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:1,211.42340 ₪