Name: IGLT65R110B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND
Price: 27.0692 ILS
Availability: OutOfStock

מוצר חדש

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IGLT65R110B2AUMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IGLT65R110B2AUMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IGLT65R110B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IGLT65R110B2AUMA1
תיאור	HV GAN DISCRETES
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 26
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 15.1A (Tc) 56W (Tc) הרכבה משטחית 9‏-16‏-PG-HDSOP‏
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	CoolGaN™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	GaNFET (גליום ניטריד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	15.1A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	-
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	-
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏1.6‏ ב-mA‏1.36‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	1.52 nC @ 3 V
Vgs (מקס')	-10V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	150 pF @ 400 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	56W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-40°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	9‏-16‏-PG-HDSOP‏
מארז‏ / תיבה	16-PowerSOP, מודול

שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

0‏ במלאי

בדיקת זמן האספקה

בקשת הודעה על מלאי

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®