Name: IMBG40R015M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG40R015M2HXTMA1TR-ND
Price: 52.6516 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IMBG40R015M2HXTMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IMBG40R015M2HXTMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IMBG40R015M2HXTMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IMBG40R015M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IMBG40R015M2HXTMA1
תיאור	SIC-MOS
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 20
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 400 V A‏11.7‏ (Ta‏), A‏111‏ (Tc‏) 3.8W (Ta), 341W (Tc) הרכבה משטחית PG-TO263-7-11
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IMBG40R015M2HXTMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	CoolSiC™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	400 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	A‏11.7‏ (Ta‏), A‏111‏ (Tc‏)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	15V, 18V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏19.1‏, A‏27.1‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏5.6‏ ב-mA‏9.7‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+23V, -7V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2730 pF @ 200 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.8W (Ta), 341W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-TO263-7-11
מארז‏ / תיבה	8‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (7‏ מוליכים + לשונית), CA‏263‏-TO‏