Name: IMCQ120R017M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND
Price: 75.8032 ILS
Availability: InStock

מוצר חדש

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IMCQ120R017M2HXTMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IMCQ120R017M2HXTMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IMCQ120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IMCQ120R017M2HXTMA1
תיאור	SIC DISCRETE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 26
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 1200 V 118A (Tc) 580W (Tc) הרכבה משטחית PG-HDSOP-22
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	CoolSiC™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	SiCFET‏ (סיליקון קרביד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	1200 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	118A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	15V, 18V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏17.1‏, A‏40‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏5.1‏ ב-mA‏12.7‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	91.1 nC @ 18 V
Vgs (מקס')	+23V, -7V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	3730 pF @ 800 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	580W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-HDSOP-22
מארז‏ / תיבה	‎22-PowerBSO, מודול