Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND
Price: 20.4612 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IPB180N06S4H1ATMA2
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IPB180N06S4H1ATMA2CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IPB180N06S4H1ATMA2
תיאור	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 18
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) הרכבה משטחית ‎PG-TO263-7‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IPB180N06S4H1ATMA2 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	180A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏1.7‏, A‏100‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏200‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	270 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	21900 pF @ 25 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	250W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎PG-TO263-7‎
מארז‏ / תיבה	7‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (6‏ מוליכים + לשונית)
מספר מוצר בסיס	IPB180