IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | FETs‏, MOSFETs‏ יחידים

IPB80N06S208ATMA2 פריט שהתיישן ואינו מיוצר עוד.

תחליפים זמינים:

דומים

IXYS

קיים במלאי: 0

מחיר יחידה : 8.56007 ₪

דומים

Vishay Siliconix

קיים במלאי: 1,573

מחיר יחידה : 12.37000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IPB80N06S208ATMA2
מק"ט מוצר של DigiKey	IPB80N06S208ATMA2-ND - סרט וסליל (TR)‏
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IPB80N06S208ATMA2
תיאור	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) הרכבה משטחית ‎PG-TO263-3-2‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IPB80N06S208ATMA2 דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 96 nC @ 10 V
יצרן Infineon Technologies	Vgs (מקס') ±20V
סדרה OptiMOS™	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 2860 pF @ 25 V
אריזה סרט וסליל (TR)‏	פיזור הספק (מקס') 215W (Tc)
סטטוס החלק מוצר שהתיישן	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ)
סוג FET תעלת N	דירוג לרכב
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	הרשאה AEC-Q101
מתח מרזב-למקור (Vdss) 55 V	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 80A (Tc)	מארז ההתקן של הספק ‎PG-TO263-3-2‎
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V	מארז‏ / תיבה 3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏7.7‏, A‏58‏, V‏10‏	מספר מוצר בסיס IPB80N
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏4‏ ב-µA‏150‏