Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 7.8352 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IPD80R2K7C3AATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IPD80R2K7C3AATMA1
תיאור	MOSFET N-CH TO252-3
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 23
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) הרכבה משטחית
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IPD80R2K7C3AATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	CoolMOS™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	800 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	2A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	Ohm‏2.7‏ ב-A‏1.2‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.9‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	290 pF @ 100 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	42W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-40°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	TO-252AA (DPAK)
מארז‏ / תיבה	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏
מספר מוצר בסיס	IPD80R2