IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IPTG111N20NM3FDATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IPTG111N20NM3FDATMA1
תיאור	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 200 V 10.8A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) הרכבה משטחית PG-HSOG-8-1
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IPTG111N20NM3FDATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™ 3
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	ההפצה הופסקה אצל Digi-Key
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	200 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	10.8A (Ta), 108A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏11.1‏, A‏96‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏267‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	7000 pF @ 100 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.8W (Ta), 375W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-HSOG-8-1
מארז‏ / תיבה	‎8-PowerSMD, כנפי שחף
מספר מוצר בסיס	IPTG111N