Name: IQDH35N03LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND
Price: 11.8826 ILS
Availability: OutOfStock

תעלת N 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) הרכבה משטחית PG-TTFN-9-U02

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IQDH35N03LM5CGATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IQDH35N03LM5CGATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IQDH35N03LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IQDH35N03LM5CGATMA1
תיאור	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 36
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) הרכבה משטחית PG-TTFN-9-U02
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IQDH35N03LM5CGATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏2‏ ב-mA‏1.46‏
יצרן Infineon Technologies	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 197 nC @ 10 V
סדרה OptiMOS™ 5	Vgs (מקס') ±20V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 18000 pF @ 15 V
סטטוס החלק פעיל	פיזור הספק (מקס') 2.5W (Ta), 278W (Tc)
סוג FET תעלת N	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 30 V	מארז ההתקן של הספק PG-TTFN-9-U02
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 66A (Ta), 700A (Tc)	מארז‏ / תיבה 9-PowerTDFN
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מספר מוצר בסיס IQDH35
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏0.35‏, A‏50‏, V‏10‏