Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 16.6734 ILS
Availability: InStock

תעלת N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) הרכבה משטחית PG-WHTFN-9-1

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
תיאור	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 61
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) הרכבה משטחית PG-WHTFN-9-1
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏0.58‏, A‏20‏, V‏10‏
יצרן Infineon Technologies	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏2‏ ב-µA‏250‏
סדרה OptiMOS™ 5	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 82 nC @ 10 V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	Vgs (מקס') ±16V
סטטוס החלק פעיל	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 5453 pF @ 12 V
סוג FET תעלת N	פיזור הספק (מקס') 2.1W (Ta), 89W (Tc)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
מתח מרזב-למקור (Vdss) 25 V	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	מארז ההתקן של הספק PG-WHTFN-9-1
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מארז‏ / תיבה 9-PowerWDFN

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

5,755 :‏ במלאי

בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף

כמות

כל המחירים הם ב- ILS

סרט חתוך (CT)‏ & Digi-Reel®

כמות	מחיר יחידה	סה"כ
1	14.13000 ₪	14.13 ₪
10	9.21500 ₪	92.15 ₪
100	6.41900 ₪	641.90 ₪
500	5.22502 ₪	2,612.51 ₪
1,000	4.84150 ₪	4,841.50 ₪
2,000	4.51913 ₪	9,038.26 ₪