Name: IQE030N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 15.7294 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IQE030N06NM5CGSCATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IQE030N06NM5CGSCATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IQE030N06NM5CGSCATMA1
תיאור	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 52
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 60 V 21A (Ta), 132A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) הרכבה משטחית PG-WHTFN-9-1
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IQE030N06NM5CGSCATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™ 5
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	21A (Ta), 132A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	6V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏3‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.3‏ ב-µA‏50‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	3800 pF @ 30 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	2.5W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-WHTFN-9-1
מארז‏ / תיבה	9-PowerWDFN