Name: IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH68NE2LM7UCGATMA1TR-ND
Price: 11.3398 ILS
Availability: InStock

מוצר חדש

תעלת N 25 V A‏47‏ (Ta‏), A‏338‏ (Tc‏) W‏2.5‏ (Ta‏), W‏130‏ (Tc‏) הרכבה משטחית PG-TTFN-9-3

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

IQEH68NE2LM7UCGATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	448-IQEH68NE2LM7UCGATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 448-IQEH68NE2LM7UCGATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 448-IQEH68NE2LM7UCGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IQEH68NE2LM7UCGATMA1
תיאור	TRENCH <= 40V
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 29
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 25 V A‏47‏ (Ta‏), A‏338‏ (Tc‏) W‏2.5‏ (Ta‏), W‏130‏ (Tc‏) הרכבה משטחית PG-TTFN-9-3
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	OptiMOS™ 7
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	25 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	A‏47‏ (Ta‏), A‏338‏ (Tc‏)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	4.5V, 10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏0.68‏, A‏20‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2‏ ב-µA‏369‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±16V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	5200 pF @ 12 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	W‏2.5‏ (Ta‏), W‏130‏ (Tc‏)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	PG-TTFN-9-3
מארז‏ / תיבה	9-PowerTDFN