IRF8313TRPBF Infineon Technologies | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

IRF8313TRPBF
מק"ט מוצר של DigiKey	IRF8313TRPBFTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ IRF8313TRPBFCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ IRF8313TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	IRF8313TRPBF
תיאור	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 30V 9.7A 2W הרכבה משטחית ‎8-SO‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	IRF8313TRPBF דגמים

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	HEXFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	מוצר שהתיישן
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
תצורה	2 תעלות N (כפול)
מאפיין FET	שער רמה לוגית
מתח מרזב-למקור (Vdss)	30V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	9.7A
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏15.5‏, A‏9.7‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.35‏ ב-µA‏25‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	9nC ב-4.5V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	760pF ב-15V
הספק - מקס'	2W
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	‎8-SOIC (רוחב "0.154, 3.90 מ"מ)
מארז ההתקן של הספק	‎8-SO‎
מספר מוצר בסיס	IRF8313