Name: SPB11N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB11N60C3ATMA1TR-ND
Price: 17.6764 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

SPB11N60C3ATMA1
מק"ט מוצר של DigiKey	SPB11N60C3ATMA1TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ SPB11N60C3ATMA1CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ SPB11N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Infineon Technologies
מק"ט מוצר של היצרן	SPB11N60C3ATMA1
תיאור	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) הרכבה משטחית ‎PG-TO263-3-2‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	SPB11N60C3ATMA1 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Infineon Technologies
סדרה	CoolMOS™
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	לא עבור תכנים חדשים: החלק זמין לרכישה
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	11A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏380‏, A‏7‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏3.9‏ ב-µA‏500‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1200 pF @ 25 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	125W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎PG-TO263-3-2‎
מארז‏ / תיבה	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מספר מוצר בסיס	SPB11N60