GAN039-650NTBZ Nexperia USA Inc. | מוצרי מוליכים-למחצה בדידים

GAN039-650NTBZ אזל מהמלאי והזמנות-ממתינות אינן זמינות כרגע.

תחליפים זמינים:

מומלצי MFR

Nexperia USA Inc.

קיים במלאי: 717

מחיר יחידה : 63.30000 ₪

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

GAN039-650NTBZ
מק"ט מוצר של DigiKey	1727-GAN039-650NTBZTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 1727-GAN039-650NTBZCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 1727-GAN039-650NTBZDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Nexperia USA Inc.
מק"ט מוצר של היצרן	GAN039-650NTBZ
תיאור	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V A58.5‏ (Tc‏) 250W (Tc) הרכבה משטחית i‏1212‏CCPAK‏
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Nexperia USA Inc.
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	ההפצה הופסקה אצל Digi-Key
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	GaNFET (גליום ניטריד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	A58.5‏ (Tc‏)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏39‏, A‏32‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4.6‏ ב-mA‏1‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	1980 pF @ 400 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	250W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	i‏1212‏CCPAK‏
מארז‏ / תיבה	BESOP‏-12‏, (רוחב 0.370‏ אינץ', 9.40‏ מ"מ) פדים חשופים