
1N4006G | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | 1N4006GOS-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | 1N4006G |
תיאור | DIODE STANDARD 800V 1A AXIAL |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 10 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | דיודות 800 V 1A חור מעבר אקסיאלי |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | 1N4006G דגמים |
קטגוריה | מהירות התאוששות רגילה מעל 500ns, זרם Io מעל 200mA |
יצרן | זרם - דלף הפוך @ Vr 10 µA @ 800 V |
אריזה בתפזורת | סוג ההרכבה |
סטטוס החלק פעיל | מארז / תיבה |
טכנולוגיה | מארז ההתקן של הספק אקסיאלי |
מתח - DC הפוך (Vr) (מקס') 800 V | טמפרטורת פעולה - צומת -65°C ~ 175°C |
זרם - מיושר, ממוצע (Io) 1A | מספר מוצר בסיס |
מתח - קדמי (Vf) (מקס') @ If 1.1 V @ 1 A |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| BYT54M-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 18,371 | 112-BYT54M-TRCT-ND | 7.61000 ₪ | דומים |
| BYV26D-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 16,830 | BYV26D-TAPGICT-ND | 7.76000 ₪ | דומים |
| BYV26D-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 13,522 | BYV26D-TRGICT-ND | 7.79000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 0.77000 ₪ | 0.77 ₪ |
| 10 | 0.46700 ₪ | 4.67 ₪ |
| 100 | 0.29030 ₪ | 29.03 ₪ |
| 500 | 0.21308 ₪ | 106.54 ₪ |
| 1,000 | 0.18800 ₪ | 188.00 ₪ |
| 2,000 | 0.16683 ₪ | 333.66 ₪ |
| 5,000 | 0.14385 ₪ | 719.25 ₪ |
| 10,000 | 0.12961 ₪ | 1,296.10 ₪ |
| 50,000 | 0.10464 ₪ | 5,232.00 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 0.77000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 0.90860 ₪ |


