Name: FDB86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDB86102LZTR-ND
Price: 10.5374 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

FDB86102LZ
מק"ט מוצר של DigiKey	FDB86102LZTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ FDB86102LZCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ FDB86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	onsemi
מק"ט מוצר של היצרן	FDB86102LZ
תיאור	MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 25
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK)
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏3‏ ב-µA‏250‏
יצרן onsemi	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 21 nC @ 10 V
סדרה PowerTrench®	Vgs (מקס') ±20V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 1275 pF @ 50 V
סטטוס החלק פעיל	פיזור הספק (מקס') 3.1W (Ta)
סוג FET תעלת N	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
מתח מרזב-למקור (Vdss) 100 V	מארז ההתקן של הספק TO-263 (D2PAK)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 8.3A (Ta), 30A (Tc)	מארז‏ / תיבה 3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 4.5V, 10V	מספר מוצר בסיס FDB86102
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏24‏, A‏8.3‏, V‏10‏

דיווח על שגיאה בפרטי מוצר

מסמכים ומדיה

קטגוריות סביבה וייצוא

משאבים נוספים

תחליפים (9)

מק"ט	יצרן	כמות זמינה	מק"ט מוצר של DigiKey	מחיר יחידה	סוג תחליף
NTB6413ANT4G	onsemi	908	NTB6413ANT4GOSCT-ND	9.74000 ₪	דומים
BUK9629-100B,118	Nexperia USA Inc.	75	1727-4716-1-ND	8.04000 ₪	דומים
IPB35N10S3L26ATMA1	Infineon Technologies	6,501	448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND	10.51000 ₪	דומים
IRF3710STRLPBF	Infineon Technologies	7,951	IRF3710STRLPBFCT-ND	13.63000 ₪	דומים
IRL2910STRLPBF	Infineon Technologies	4,023	IRL2910STRLPBFCT-ND	14.04000 ₪	דומים