Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 7.316 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

FQB55N10TM
מק"ט מוצר של DigiKey	FQB55N10TMTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ FQB55N10TMCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	onsemi
מק"ט מוצר של היצרן	FQB55N10TM
תיאור	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 8
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) הרכבה משטחית TO-263 (D2PAK)
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	FQB55N10TM דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	onsemi
סדרה	QFET®
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	100 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	55A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏26‏, A‏27.5‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±25V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	2730 pF @ 25 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	3.75W (Ta), 155W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 175°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	TO-263 (D2PAK)
מארז‏ / תיבה	3‏-263‏-TO‏, PAK‏2‏D‏ (2‏ מוליכים + לשונית), AB‏263‏-TO‏
מספר מוצר בסיס	FQB55N10