Name: NP50P06SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND
Price: 12.6142 ILS
Availability: InStock

תעלת P 60 V 50A (Tc) 1.2W (Ta), 84W (Tc) הרכבה משטחית ‎TO-252 (MP-3ZK)‎

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

NP50P06SDG-E1-AY
מק"ט מוצר של DigiKey	559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 559-NP50P06SDG-E1-AYCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 559-NP50P06SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Renesas Electronics Corporation
מק"ט מוצר של היצרן	NP50P06SDG-E1-AY
תיאור	MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 12
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת P 60 V 50A (Tc) 1.2W (Ta), 84W (Tc) הרכבה משטחית ‎TO-252 (MP-3ZK)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	NP50P06SDG-E1-AY דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Renesas Electronics Corporation
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת P
טכנולוגיה	MOSFET (תחמוצת מתכת)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	60 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	50A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏16.5‏, A‏25‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏2.5‏ ב-µA‏250‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	100 nC @ 10 V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	5000 pF @ 10 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	1.2W (Ta), 84W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C (TJ)
דירוג	לרכב
הרשאה	AEC-Q101
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎TO-252 (MP-3ZK)‎
מארז‏ / תיבה	3‏-252‏-TO‏, DPAK‏ (2‏ מוליכים + לשונית), 63‏ SC‏