Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 12.0006 ILS
Availability: InStock

מוצר חדש

תעלת N 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-DFN (4.9×5.75)‎

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

RBE029N10R1SZN6#HB0
מק"ט מוצר של DigiKey	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - סרט וסליל (TR)‏ 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Renesas Electronics Corporation
מק"ט מוצר של היצרן	RBE029N10R1SZN6#HB0
תיאור	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 12
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) הרכבה משטחית ‎8-DFN (4.9×5.75)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים

מאפייני המוצר

סינון מוצרים דומים

הצגת ערכים ריקים

קטגוריה מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים	Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id V‏4‏ ב-µA‏109‏
יצרן Renesas Electronics Corporation	מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs 91 nC @ 10 V
אריזה סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®	Vgs (מקס') ±20V
סטטוס החלק פעיל	קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds 6500 pF @ 50 V
סוג FET תעלת N	פיזור הספק (מקס') 165W (Tc)
טכנולוגיה MOSFET (תחמוצת מתכת)	טמפרטורת פעולה -55°C ~ 175°C (TJ)
מתח מרזב-למקור (Vdss) 100 V	סוג ההרכבה הרכבה משטחית
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C 160A (Tc)	מארז ההתקן של הספק ‎8-DFN (4.9×5.75)‎
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V	מארז‏ / תיבה ‎8-PowerTDFN
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm‏2.9‏, A‏80‏, V‏10‏