Name: TP65H150G4LSG
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-ND
Price: 19.5762 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

TP65H150G4LSG
מק"ט מוצר של DigiKey	1707-TP65H150G4LSG-ND - סרט וסליל (TR)‏ 1707-TP65H150G4LSGCT-ND - סרט חתוך (CT)‏ 1707-TP65H150G4LSGDKR-ND - Digi-Reel®
יצרן	Renesas Electronics Corporation
מק"ט מוצר של היצרן	TP65H150G4LSG
תיאור	GAN FET N-CH 650V PQFN
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 16
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	תעלת N 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) הרכבה משטחית ‎3-PQFN (8×8)‎
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	TP65H150G4LSG דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ FETs‏, MOSFETs‏ יחידים
יצרן	Renesas Electronics Corporation
סדרה	-
אריזה	סרט וסליל (TR)‏ סרט חתוך (CT)‏ Digi-Reel®
סטטוס החלק	פעיל
סוג FET	תעלת N
טכנולוגיה	GaNFET (גליום ניטריד)
מתח מרזב-למקור (Vdss)	650 V
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	13A (Tc)
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ')	10V
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	mOhm‏180‏, A‏8.5‏, V‏10‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏4.8‏ ב-µA‏500‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (מקס')	±20V
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	598 pF @ 400 V
מאפיין FET	-
פיזור הספק (מקס')	52W (Tc)
טמפרטורת פעולה	-55°C ~ 150°C (TJ)
דירוג	-
הרשאה	-
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז ההתקן של הספק	‎3-PQFN (8×8)‎
מארז‏ / תיבה	3-PowerTDFN
מספר מוצר בסיס	TP65H150