MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W הרכבה בשלדה מודול
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W הרכבה בשלדה מודול
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM080D12P2C008

מק"ט מוצר של DigiKey
BSM080D12P2C008-ND
יצרן
מק"ט מוצר של היצרן
BSM080D12P2C008
תיאור
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן
שבועות 27
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W הרכבה בשלדה מודול
גיליון נתונים
 גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD
BSM080D12P2C008 דגמים
מאפייני המוצר
סינון מוצרים דומים
הצגת ערכים ריקים
קטגוריה
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id
V‏4‏ ב-mA‏13.2‏
יצרן
Rohm Semiconductor
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds
800pF ב-10V
אריזה
מגש
הספק - מקס'
600W
סטטוס החלק
פעיל
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
טכנולוגיה
קרביד סיליקון (SiC)
סוג ההרכבה
הרכבה בשלדה
תצורה
2 תעלות N (כפול)
מארז‏ / תיבה
מודול
מתח מרזב-למקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
מארז ההתקן של הספק
מודול
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C
80A (Tc)
מספר מוצר בסיס
קטגוריות סביבה וייצוא
שאלות ותשובות על המוצר
משאבים נוספים
61 :‏ במלאי
בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף
כל המחירים הם ב- ILS
מגש
כמות מחיר יחידה סה"כ
11,091.75000 ₪1,091.75 ₪
121,045.23750 ₪12,542.85 ₪
מארז סטנדרטי של היצרן
הערה: עקב שירותי הערך-המוסף של DigiKey, סוג האריזה עשוי להשתנות כאשר המוצר נרכש בכמויות שהן פחות מאשר באריזה הסטנדרטית.
מחיר יחידה ללא מע"מ:1,091.75000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:1,288.26500 ₪