MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W הרכבה משטחית מודול
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W הרכבה משטחית מודול
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

מק"ט מוצר של DigiKey
BSM180D12P3C007-ND
יצרן
מק"ט מוצר של היצרן
BSM180D12P3C007
תיאור
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן
שבועות 27
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W הרכבה משטחית מודול
גיליון נתונים
 גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD
BSM180D12P3C007 דגמים
מאפייני המוצר
סינון מוצרים דומים
הצגת ערכים ריקים
קטגוריה
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id
V‏5.6‏ ב-mA‏50‏
יצרן
Rohm Semiconductor
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds
900pF ב-10V
אריזה
בתפזורת
הספק - מקס'
880W
סטטוס החלק
פעיל
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
טכנולוגיה
קרביד סיליקון (SiC)
סוג ההרכבה
הרכבה משטחית
תצורה
2 תעלות N (כפול)
מארז‏ / תיבה
מודול
מתח מרזב-למקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
מארז ההתקן של הספק
מודול
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C
180A (Tc)
מספר מוצר בסיס
קטגוריות סביבה וייצוא
שאלות ותשובות על המוצר
משאבים נוספים
13 :‏ במלאי
בדקו אם יש מלאי נכנס נוסף
כאשר מוצר זה יאזל מהמלאי יחולו האריזה הסטנדרטית של היצרן וזמני האספקה שלו.
כל המחירים הם ב- ILS
בתפזורת
כמות מחיר יחידה סה"כ
11,847.12000 ₪1,847.12 ₪
מחיר יחידה ללא מע"מ:1,847.12000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:2,179.60160 ₪