Name: BSM180D12P3C007
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P3C007-ND
Price: 2382.243 ILS
Availability: InStock

התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

BSM180D12P3C007
מק"ט מוצר של DigiKey	BSM180D12P3C007-ND
יצרן	Rohm Semiconductor
מק"ט מוצר של היצרן	BSM180D12P3C007
תיאור	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן	שבועות 22
ייחוס לקוח
תיאור מפורט	MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W הרכבה משטחית מודול
גיליון נתונים	גיליון נתונים
מודלים EDA/CAD	BSM180D12P3C007 דגמים

מאפייני המוצר

סוג	תיאור	בחרו הכול
קטגוריה	מוצרי מוליכים-למחצה בדידים טרנזיסטורים FETs‏, MOSFETs‏ מערכי FET‏, MOSFET‏
יצרן	Rohm Semiconductor
סדרה	-
אריזה	בתפזורת
סטטוס החלק	פעיל
טכנולוגיה	קרביד סיליקון (SiC)
תצורה	2 תעלות N (כפול)
מאפיין FET	-
מתח מרזב-למקור (Vdss)	1200V (1.2kV)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C	180A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs	-
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id	V‏5.6‏ ב-mA‏50‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs	-
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds	900pF ב-10V
הספק - מקס'	880W
טמפרטורת פעולה	175°C (TJ)
סוג ההרכבה	הרכבה משטחית
מארז‏ / תיבה	מודול
מארז ההתקן של הספק	מודול
מספר מוצר בסיס	BSM180