BSM600D12P3G001 פריט שהתיישן ואינו מיוצר עוד.
תחליפים זמינים:

מומלצי MFR


Rohm Semiconductor
קיים במלאי: 5
מחיר יחידה : 1,029.05000 ₪
גיליון נתונים
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) הרכבה בשלדה מודול
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) הרכבה בשלדה מודול
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

מק"ט מוצר של DigiKey
846-BSM600D12P3G001-ND
יצרן
מק"ט מוצר של היצרן
BSM600D12P3G001
תיאור
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) הרכבה בשלדה מודול
גיליון נתונים
 גיליון נתונים
מאפייני המוצר
סינון מוצרים דומים
הצגת ערכים ריקים
קטגוריה
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id
V‏5.6‏ ב-mA‏182‏
יצרן
Rohm Semiconductor
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds
31000pF ב-10V
אריזה
בתפזורת
הספק - מקס'
2450W (Tc)
סטטוס החלק
מוצר שהתיישן
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
טכנולוגיה
קרביד סיליקון (SiC)
סוג ההרכבה
הרכבה בשלדה
תצורה
שתי תעלות-N (חצי-גשר)
מארז‏ / תיבה
מודול
מתח מרזב-למקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
מארז ההתקן של הספק
מודול
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C
600A (Tc)
מספר מוצר בסיס
קטגוריות סביבה וייצוא
שאלות ותשובות על המוצר
משאבים נוספים
תחליפים (1)
מק"טיצרן כמות זמינהמק"ט מוצר של DigiKey מחיר יחידה סוג תחליף
BSM600D12P4G103Rohm Semiconductor5846-BSM600D12P4G103-ND1,029.05000 ₪מומלצי MFR
מיושן
מוצר זה אינו מיוצר יותר. הצגת תחליפים.