BSM600D12P3G001 פריט שהתיישן ואינו מיוצר עוד.
תחליפים זמינים:

מומלצי MFR


Rohm Semiconductor
קיים במלאי: 8
מחיר יחידה : 4,213.35000 ₪
גיליון נתונים
BSM600D12P3G001
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.
BSM600D12P3G001
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

מק"ט מוצר של DigiKey
846-BSM600D12P3G001-ND
יצרן
מק"ט מוצר של היצרן
BSM600D12P3G001
תיאור
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) הרכבה בשלדה מודול
גיליון נתונים
 גיליון נתונים
מאפייני המוצר
סוג
תיאור
בחרו הכול
קטגוריה
יצרן
Rohm Semiconductor
סדרה
-
אריזה
בתפזורת
סטטוס החלק
מוצר שהתיישן
טכנולוגיה
קרביד סיליקון (SiC)
תצורה
שתי תעלות-N (חצי-גשר)
מאפיין FET
-
מתח מרזב-למקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C
600A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs
-
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id
V‏5.6‏ ב-mA‏182‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs
-
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds
31000pF ב-10V
הספק - מקס'
2450W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג ההרכבה
הרכבה בשלדה
מארז‏ / תיבה
מודול
מארז ההתקן של הספק
מודול
מספר מוצר בסיס
שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

מיושן
מוצר זה אינו מיוצר יותר. הצגת תחליפים.