חדש ב-DigiKey‏
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) חור מעבר HSDIP‏-20‏
התמונה מוצגת להמחשה בלבד יש לקבל את המפרט המדויק מגיליון הנתונים של המוצר.

BST70B2P4K01-VC

מק"ט מוצר של DigiKey
846-BST70B2P4K01-VC-ND
יצרן
מק"ט מוצר של היצרן
BST70B2P4K01-VC
תיאור
HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן
שבועות 27
ייחוס לקוח
תיאור מפורט
MOSFET‏ - מערכים 1200V (1.2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) חור מעבר HSDIP‏-20‏
גיליון נתונים
 גיליון נתונים
מאפייני המוצר
סוג
תיאור
בחרו הכול
קטגוריה
יצרן
Rohm Semiconductor
סדרה
-
אריזה
תיבה
סטטוס החלק
פעיל
טכנולוגיה
קרביד סיליקון (SiC)
תצורה
4 תעלת-N‏ (גשר-מלא)
מאפיין FET
-
מתח מרזב-למקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C
70A (Tc)
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs
mOhm‏25‏, A‏70‏, V‏18‏
Vgs(th)‎‏ (מקס') @ Id
V‏4.8‏ ב-mA‏22.2‏
מטען שער (Qg)‏ (מקס') ב- Vgs
nC‏170‏ ב-V‏18‏
קיבוליות כניסה (Ciss‏) (מקס') ב- Vds
pF‏4500‏ ב-V‏800‏
הספק - מקס'
385W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C
דירוג
-
הרשאה
-
סוג ההרכבה
חור מעבר
מארז‏ / תיבה
מודול PowerDIP‏-20‏ (1.508‏ אינץ', 38.30‏ מ"מ)
מארז ההתקן של הספק
HSDIP‏-20‏
שאלות ותשובות על המוצר

ראו מה שואלים המהנדסים, שאלו שאלות משלכם, או עזרו לחבר בקהילת ההנדסה של DigiKey‏

0‏ במלאי
בדיקת זמן האספקה
בקשת הודעה על מלאי
כל המחירים הם ב- ILS
תיבה
כמות מחיר יחידה סה"כ
1377.53000 ₪377.53 ₪
10317.00200 ₪3,170.02 ₪
60290.66533 ₪17,439.92 ₪
120283.54192 ₪34,025.03 ₪
מארז סטנדרטי של היצרן
מחיר יחידה ללא מע"מ:377.53000 ₪
מחיר יחידה עם מע"מ:445.48540 ₪