



R6007ENX | |
|---|---|
מק"ט מוצר של DigiKey | R6007ENX-ND |
יצרן | |
מק"ט מוצר של היצרן | R6007ENX |
תיאור | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM |
זמן הספקה סטנדרטי של היצרן | שבועות 18 |
ייחוס לקוח | |
תיאור מפורט | תעלת N 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) חור מעבר TO-220FM |
גיליון נתונים | גיליון נתונים |
מודלים EDA/CAD | R6007ENX דגמים |
קטגוריה | Vgs(th) (מקס') @ Id V4 ב-mA1 |
יצרן | מטען שער (Qg) (מקס') ב- Vgs 20 nC @ 10 V |
אריזה בתפזורת | Vgs (מקס') ±20V |
סטטוס החלק פעיל | קיבוליות כניסה (Ciss) (מקס') ב- Vds 390 pF @ 25 V |
סוג FET | פיזור הספק (מקס') 40W (Tc) |
טכנולוגיה | טמפרטורת פעולה 150°C (TJ) |
מתח מרזב-למקור (Vdss) 600 V | סוג ההרכבה חור מעבר |
זרם - מרזב רצוף (Id) ב- 25°C | מארז ההתקן של הספק TO-220FM |
מתח דחיפה (Rds On מקס', Rds On מינ') 10V | מארז / תיבה |
Rds מצב מופעל (מקס') @ Id, Vgs mOhm620, A2.4, V10 | מספר מוצר בסיס |
| מק"ט | יצרן | כמות זמינה | מק"ט מוצר של DigiKey | מחיר יחידה | סוג תחליף |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 10 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 6.09000 ₪ | דומים |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 15.74000 ₪ | דומים |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 10 | TK8A65WS5X-ND | 8.32000 ₪ | דומים |
| כמות | מחיר יחידה | סה"כ |
|---|---|---|
| 1 | 10.51000 ₪ | 10.51 ₪ |
| 10 | 6.84200 ₪ | 68.42 ₪ |
| 100 | 4.74480 ₪ | 474.48 ₪ |
| 500 | 3.84830 ₪ | 1,924.15 ₪ |
| 1,000 | 3.56029 ₪ | 3,560.29 ₪ |
| 2,000 | 3.31817 ₪ | 6,636.34 ₪ |
| 5,000 | 3.06847 ₪ | 15,342.35 ₪ |
| מחיר יחידה ללא מע"מ: | 10.51000 ₪ |
|---|---|
| מחיר יחידה עם מע"מ: | 12.40180 ₪ |

